Przejdź do zawartości
Merck
Wszystkie zdjęcia(1)

Kluczowe dokumenty

Wyświetl całą dokumentację

647535

Sigma-Aldrich

Silicon

wafer (single side polished), <100>, N-type, contains no dopant, diam. × thickness 3 in. × 0.5 mm

Synonim(y):

Silicon element

Zaloguj sięWyświetlanie cen organizacyjnych i kontraktowych
Wszystkie zdjęcia(1)

About This Item

Wzór liniowy:
Si
Numer CAS:
7440-21-3
Masa cząsteczkowa:
28.09
Numer WE:
231-130-8
Numer MDL:
MFCD00085311
Kod UNSPSC:
12352300
Identyfikator substancji w PubChem:
24883543
NACRES:
NA.23

Postać

crystalline (cubic (a = 5.4037))
wafer (single side polished)

Poziom jakości

100

nie zawiera

dopant

śr. × grubość

3 in. × 0.5 mm

tw

2355 °C (lit.)

mp

1410 °C (lit.)

gęstość

2.33 g/mL at 25 °C (lit.)

właściwości półprzewodników

<100>, N-type

ciąg SMILES

[Si]

InChI

1S/Si

Klucz InChI

XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N

Szukasz podobnych produktów? Odwiedź Przewodnik dotyczący porównywania produktów

Zastosowanie

Silicon wafers are majorly used in electronics as substrate materials. They are also used in a variety of applications like solar cells, microelectronics, and other integrated circuits.

Właściwości fizyczne

0 vortex defects. Etch pitch density (EPD) <100 cm-2. Resistivity 1,000- 2,300 Ωcm
Oxygen content: <= 1~1.8 x 1018 /cm3; Carbon content: <= 5 x 1016 /cm3; Boule diameter: 1~8 ″
Ta strona może zawierać tekst przetłumaczony maszynowo.

Kod klasy składowania

13 - Non Combustible Solids

Klasa zagrożenia wodnego (WGK)

WGK 3

Temperatura zapłonu (°F)

Not applicable

Temperatura zapłonu (°C)

Not applicable

Środki ochrony indywidualnej

Eyeshields, Gloves, type N95 (US)

Wybierz jedną z najnowszych wersji:

Certyfikaty analizy (CoA)

Lot/Batch Number
MKCR0472
MKCQ0514
MKCN5974
MKCH2379
MKCG5810

Nie widzisz odpowiedniej wersji?

Jeśli potrzebujesz konkretnej wersji, możesz wyszukać konkretny certyfikat według numeru partii lub serii.

Wyszukaj dokument COA

Masz już ten produkt?

Dokumenty związane z niedawno zakupionymi produktami zostały zamieszczone w Bibliotece dokumentów.

Odwiedź Bibliotekę dokumentów

Klienci oglądali również te produkty

Slide 1 of 6

1 of 6

Silicon wafer, &#60;111&#62;, P-type, contains boron as dopant, diam. × thickness 2&#160;in. × 0.3&#160;mm

Sigma-Aldrich

647705

Silicon

Silicon pieces, 99.95% trace metals basis

Sigma-Aldrich

343250

Silicon

Silicon dioxide single crystal substrate, optical grade, 99.99% trace metals basis, L × W × thickness 10&#160;mm × 10&#160;mm × 0.5&#160;mm

Sigma-Aldrich

634867

Silicon dioxide

Nickel sputtering target, diam. × thickness 2.00&#160;in. × 0.25&#160;in., 99.95% trace metals basis

Sigma-Aldrich

767484

Nickel

Molybdenum(VI) oxide nanopowder, 100&#160;nm (TEM), 99.5% trace metals basis

Sigma-Aldrich

775703

Molybdenum(VI) oxide

Gold coated glass slide 99.999% (Au), layer thickness 100&#160;Å

Sigma-Aldrich

643203

Gold coated glass slide

24.7% record efficiency HIT solar cell on thin silicon wafer
Taguchi M, et al.
IEEE journal of Photovoltaics, 4(1), 96-99 (2013)
Jaewoo Lee et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(5), 3495-3499 (2013-07-19)
A spin-casting process for fabricating polycrystalline silicon sheets for use as solar cell wafers is proposed, and the parameters that control the sheet thickness are investigated. A numerical study of the fluidity of molten silicon indicates that the formation of
Seungil Park et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(5), 3397-3402 (2013-07-19)
We investigated the thin film growths of hydrogenated silicon by hot-wire chemical vapor deposition with different flow rates of SiH4 and H2 mixture ambient and fabricated thin film solar cells by implementing the intrinsic layers to SiC/Si heterojunction p-i-n structures.
Jae Cheol Shin et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(5), 3511-3514 (2013-07-19)
We have characterized the structural properties of the ternary In(x)Ga(1-x)As nanowires (NWs) grown on silicon (Si) substrates using metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). Au catalyzed vapor-liquid-solid (VLS) mode was used for the NW growth. The density of the In(x)Ga(1-x)As NW
Mariya Nazish Memon et al.
JPMA. The Journal of the Pakistan Medical Association, 62(12), 1329-1332 (2013-07-23)
To evaluate the outcome of nasolacrimal intubation as a primary treatment of congenital nasolacrimal duct obstruction (NLDO) in children up to 4 years of age. During the 3 years period from July 2008 to June 2011, in the Paediatric Ophthalmology
Wyświetl wszystkie powiązane dokumenty

Produkty

Molecular Monolayers on Silicon Surfaces

This article briefly reviews the methods and mechanisms for the formation of molecular monolayers on silicon surfaces, the properties of these monolayers and current perspectives regarding their application in molecular electronic and sensing applications.

Dye-Sensitized and Perovskite Solar Cells: Interface Engineering by Atomic Layer Deposition

Since the demonstration of the first practical solar cell 60 years ago, research on novel materials, improved solar cell design and structure, and innovative manufacturing processes have all contributed to a continuous increase in the efficiency of photovoltaic (PV) devices.

FePt Nanogranular films for high density heat-assisted magnetic recording

A hard disk drive (HDD) is a data storage device that stores digital information by magnetizing nanosized magnets on flat disks and retrieves data by sensing the resulting magnetic field.

Building and Engineering Micro/Nano Architectures of Single-Walled Carbon Nanotubes for Electronic Applications

Building and Engineering Micro/Nano Architectures of Single-Walled Carbon Nanotubes for Electronic Applications

Zobacz wszystko

Protokoły

Negative Photoresist Procedure

Negative Photoresist Procedure

Nasz zespół naukowców ma doświadczenie we wszystkich obszarach badań, w tym w naukach przyrodniczych, materiałoznawstwie, syntezie chemicznej, chromatografii, analityce i wielu innych dziedzinach.

Skontaktuj się z zespołem ds. pomocy technicznej