Przejdź do zawartości
Merck
Wszystkie zdjęcia(5)

Key Documents

View All Documentation

920932

Sigma-Aldrich

Monolayer hexagonal Boron Nitride (hBN) on Si/SiO2 wafer

diam. 100 mm (4 in.)

Synonim(y):

Boronitrene, Hexagonal boron nitride monolayer, Single-layer hexagonal boron nitride, White graphene

Zaloguj sięWyświetlanie cen organizacyjnych i kontraktowych
Wszystkie zdjęcia(5)

About This Item

Wzór empiryczny (zapis Hilla):
BN
Numer CAS:
10043-11-5
Masa cząsteczkowa:
24.82
Numer MDL:
MFCD00008279
Kod UNSPSC:
12352302
NACRES:
NA.23

opis

Monolayer h-BN
hBN Coverage: 100% with sporadic adlayers
Bandgap: 5.97 eV
Raman Peak: 1370 /cm-1
Orientation: <1-0-0>
Metal Impurities: 1.00e10 – 5.00e10 (at/cm2)
Substrate
Type/Doping: P/B
Wafer Thickness : 500 ± 50 μm
Oxide Thickness: 300 nm
Resistivity: 1 – 10 (ohm/cm)

Poziom jakości

100

Średnica

100 mm (4 in.)

wielkość ziarna

>4 μm

InChI

1S/BN/c1-2

Klucz InChI

PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N

Szukasz podobnych produktów? Odwiedź Przewodnik dotyczący porównywania produktów

Powiązane kategorie

Zastosowanie

Monolayer hexagonal boron nitride (h-BN), also known as ″white graphene″, is a wide-bandgap 2D crystal (∼6 eV that can be tuned to ∼2 eV) with exceptional strength, large oxidation resistance at high temperatures, and optical functionalities. Among its potential applications are:
  • Two-dimensional electronics
  • Nanophotonic and other optoelectronic devices
  • Quantum communication and information science
  • Aerospace industry
  • MEMS and NEMS
  • Micro-/nano- actuators
  • Insulating/transparent coatings.

Przechowywanie i stabilność

To ensure the maximum shelf life of your hBN sample, it is best stored under vacuum or in inert atmosphere (Argon or Nitrogen) conditions once the vacuum sealed package has been opened.
This page may contain text that has been machine translated.

Kod klasy składowania

13 - Non Combustible Solids

Klasa zagrożenia wodnego (WGK)

WGK 3

Wybierz jedną z najnowszych wersji:

Certyfikaty analizy (CoA)

Lot/Batch Number

Przepraszamy, ale COA dla tego produktu nie jest aktualnie dostępny online.

Proszę o kontakt, jeśli potrzebna jest pomoc Obsługa Klienta

Masz już ten produkt?

Dokumenty związane z niedawno zakupionymi produktami zostały zamieszczone w Bibliotece dokumentów.

Odwiedź Bibliotekę dokumentów

Monolayer to Bulk Properties of Hexagonal Boron Nitride.
Wickramaratne D, et al.
The Journal of Physical Chemistry C, 122(44), 25524-25529 (2018)
Xu-Qian Zheng et al.
Microsystems & nanoengineering, 3, 17038-17038 (2017-07-31)
Atomic layers of hexagonal boron nitride (h-BN) crystal are excellent candidates for structural materials as enabling ultrathin, two-dimensional (2D) nanoelectromechanical systems (NEMS) due to the outstanding mechanical properties and very wide bandgap (5.9 eV) of h-BN. In this work, we report
Kun Ba et al.
Scientific reports, 7, 45584-45584 (2017-04-04)
Monolayer hexagonal boron nitride (h-BN) possesses a wide bandgap of ~6 eV. Trimming down the bandgap is technically attractive, yet poses remarkable challenges in chemistry. One strategy is to topological reform the h-BN's hexagonal structure, which involves defects or grain boundaries

Nasz zespół naukowców ma doświadczenie we wszystkich obszarach badań, w tym w naukach przyrodniczych, materiałoznawstwie, syntezie chemicznej, chromatografii, analityce i wielu innych dziedzinach.

Skontaktuj się z zespołem ds. pomocy technicznej