Kluczowe dokumenty
920959
Graphene, monolayer film
on Si/SiO2 wafer, diam. 100 mm (4 in.)
About This Item
Polecane produkty
Nazwa produktu
Monolayer Graphene on Si/SiO2 wafer, diam. 100 mm (4 in.)
opis
Graphene Coverage: 100% with sporadic adlayers
Metal Impurities: 1.00e10 – 5.00e10 (at/cm) substrate
Monolayer Graphene Transparency: >97%
Raman D/G ratio: Indistinguishable to 0.03
Substrate Type/Doping: P/B
430 Ω/sq ±50 Ω/sq
Poziom jakości
rezystywność
1-10 Ω-cm
Średnica
100 mm (4 in.)
wielkość ziarna
>40 μm
właściwości półprzewodników
(mobility>2700 cm2/V·s) (FET mobility)
ciąg SMILES
[C]
InChI
1S/C
Klucz InChI
OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N
Opis ogólny
Zastosowanie
Przechowywanie i stabilność
Inne uwagi
Kod klasy składowania
13 - Non Combustible Solids
Klasa zagrożenia wodnego (WGK)
WGK 3
Temperatura zapłonu (°F)
Not applicable
Temperatura zapłonu (°C)
Not applicable
Wybierz jedną z najnowszych wersji:
Certyfikaty analizy (CoA)
It looks like we've run into a problem, but you can still download Certificates of Analysis from our Dokumenty section.
Proszę o kontakt, jeśli potrzebna jest pomoc Obsługa Klienta
Masz już ten produkt?
Dokumenty związane z niedawno zakupionymi produktami zostały zamieszczone w Bibliotece dokumentów.
Nasz zespół naukowców ma doświadczenie we wszystkich obszarach badań, w tym w naukach przyrodniczych, materiałoznawstwie, syntezie chemicznej, chromatografii, analityce i wielu innych dziedzinach.
Skontaktuj się z zespołem ds. pomocy technicznej