Przejdź do zawartości
Merck
Wszystkie zdjęcia(1)

Key Documents

901621

Sigma-Aldrich

Buffered oxide etchant (BOE) 10:1

Synonim(y):

BHF, Buffered HF

Zaloguj sięWyświetlanie cen organizacyjnych i kontraktowych


About This Item

Kod UNSPSC:
12161700
NACRES:
NA.23

Opis ogólny

Buffered oxide etchant (BOE) is a wet etchant used in microfabrication. Its primary use is in etching thin films of silicon dioxide (SiO2) or silicon nitride (Si3N4). It is a mixture of a buffering agent, such as ammonium fluoride (NH4F), and hydrofluoric acid (HF). Concentrated HF etches silicon dioxide too quickly for good process control and also peels photoresist used in lithographic patterning.

Zastosowanie

Buffered oxide etchant (BOE) 10:1 can be used in the etching of titanium carbide, which can be used in microelectromechanical systems (MEMS). It can also be used in the etching of spin-on-dopant (SOD) for the development of conductor-insulator-conductor tunneling diodes. It can also be used to enhance the surface of fused quartz devices.
This page may contain text that has been machine translated.

Piktogramy

Skull and crossbonesCorrosion

Hasło ostrzegawcze

Danger

Zwroty wskazujące rodzaj zagrożenia

Klasyfikacja zagrożeń

Acute Tox. 2 Dermal - Acute Tox. 3 Inhalation - Acute Tox. 3 Oral - Eye Dam. 1 - Skin Corr. 1B

Kod klasy składowania

6.1B - Non-combustible acute toxic Cat. 1 and 2 / very toxic hazardous materials

Klasa zagrożenia wodnego (WGK)

WGK 2

Temperatura zapłonu (°F)

Not applicable

Temperatura zapłonu (°C)

Not applicable


Certyfikaty analizy (CoA)

Poszukaj Certyfikaty analizy (CoA), wpisując numer partii/serii produktów. Numery serii i partii można znaleźć na etykiecie produktu po słowach „seria” lub „partia”.

Masz już ten produkt?

Dokumenty związane z niedawno zakupionymi produktami zostały zamieszczone w Bibliotece dokumentów.

Odwiedź Bibliotekę dokumentów

Integration of wear-resistant titanium carbide coatings into MEMS fabrication processes
Radhakrishnan G, et al.
Tribology Letters, 8(2-3), 133-137 (2000)
New process development for planar-type CIC tunneling diodes
Choi K, et al.
IEEE Electron Device Letters, 31(8), 809-811 (2010)

Nasz zespół naukowców ma doświadczenie we wszystkich obszarach badań, w tym w naukach przyrodniczych, materiałoznawstwie, syntezie chemicznej, chromatografii, analityce i wielu innych dziedzinach.

Skontaktuj się z zespołem ds. pomocy technicznej