901623
Buffered oxide etchant (BOE) 6:1 with surfactant
Synonim(y):
BHF, Buffered HF
Zaloguj sięWyświetlanie cen organizacyjnych i kontraktowych
About This Item
Kod UNSPSC:
12161700
NACRES:
NA.23
Polecane produkty
Formularz
liquid
Powiązane kategorie
Opis ogólny
Buffered oxide etchant (BOE) is a wet etchant used in microfabrication. Its primary use is in etching thin films of silicon dioxide (SiO2) or silicon nitride (Si3N4). It is a mixture of a buffering agent, such as ammonium fluoride (NH4F), and hydrofluoric acid (HF). Concentrated HF etches silicon dioxide too quickly for good process control and also peels photoresist used in lithographic patterning.
Zastosowanie
Buffered oxide etchant (BOE) 6:1 with surfactant may be used in the oxide removal of AlGaN/GaN-based high electron mobility transistors for gate photolithography. It may also be used in a buffer oxide etchant method for the fabrication of micro biochip.
Ta strona może zawierać tekst przetłumaczony maszynowo.
Hasło ostrzegawcze
Danger
Zwroty wskazujące rodzaj zagrożenia
Zwroty wskazujące środki ostrożności
Klasyfikacja zagrożeń
Acute Tox. 1 Dermal - Acute Tox. 2 Inhalation - Acute Tox. 2 Oral - Eye Dam. 1 - Skin Corr. 1A
Kod klasy składowania
6.1B - Non-combustible acute toxic Cat. 1 and 2 / very toxic hazardous materials
Klasa zagrożenia wodnego (WGK)
WGK 2
Temperatura zapłonu (°F)
Not applicable
Temperatura zapłonu (°C)
Not applicable
Wybierz jedną z najnowszych wersji:
Certyfikaty analizy (CoA)
Lot/Batch Number
Nie widzisz odpowiedniej wersji?
Jeśli potrzebujesz konkretnej wersji, możesz wyszukać konkretny certyfikat według numeru partii lub serii.
Masz już ten produkt?
Dokumenty związane z niedawno zakupionymi produktami zostały zamieszczone w Bibliotece dokumentów.
Fabrication of a new micro bio chip and flow cell cytometry system using Bio-MEMS technology
Byun I, et al.
Microelectronics Journal, 39(5), 717-722 (2008)
Surface cleaning and preparation in AlGaN/GaN-based HEMT processing as assessed by X-ray photoelectron spectroscopy
Gonzalez-Posada F, et al.
Applied Surface Science, 253(14), 6185-6190 (2007)
Effect of passivation on AlGaN/GaN HEMT device performance
2000 IEEE international symposium on compound semiconductors, 357-363 (2000)
Nasz zespół naukowców ma doświadczenie we wszystkich obszarach badań, w tym w naukach przyrodniczych, materiałoznawstwie, syntezie chemicznej, chromatografii, analityce i wielu innych dziedzinach.
Skontaktuj się z zespołem ds. pomocy technicznej