Przejdź do zawartości
Merck

725544

Sigma-Aldrich

Tetrakis(ethylmethylamido)hafnium(IV)

packaged for use in deposition systems

Synonim(y):

TEMAH, Tetrakis(ethylmethylamino)hafnium(IV)

Zaloguj sięWyświetlanie cen organizacyjnych i kontraktowych


About This Item

Wzór liniowy:
[(CH3)(C2H5)N]4Hf
Numer CAS:
Masa cząsteczkowa:
410.90
Numer MDL:
Kod UNSPSC:
12352103
Identyfikator substancji w PubChem:
NACRES:
NA.23

Poziom jakości

Formularz

liquid

przydatność reakcji

core: hafnium
reagent type: catalyst

bp

78 °C/0.01 mmHg (lit.)

mp

<-50 °C

gęstość

1.324 g/mL at 25 °C (lit.)

temp. przechowywania

2-8°C

ciąg SMILES

CCN(C)[Hf](N(C)CC)(N(C)CC)N(C)CC

InChI

1S/4C3H8N.Hf/c4*1-3-4-2;/h4*3H2,1-2H3;/q4*-1;+4

Klucz InChI

NPEOKFBCHNGLJD-UHFFFAOYSA-N

Szukasz podobnych produktów? Odwiedź Przewodnik dotyczący porównywania produktów

Opis ogólny

Tetrakis(ethylmethylamido)hafnium(IV) (TEMAH) is a colorlessliquid, which freezes at -50 °C and boils around 78 °C at 0.1 Torr. It is air-and water-sensitive.

Zastosowanie

TEMAH is used as a precursor for atomic layer deposition(ALD) of conformal thin films of hafnium oxide (HfO2) and hafnium zirconium oxide (Hf1-xZrxO2), which are used as dielectric films in semiconductor fabrication because of their high dielectric constants.

TEMAH is well-suited for ALD because its adsorption is self-limiting on a number of substrates including glass, indium-tin oxide(ITO), Si(100), and two-dimensional materials like MoS2. TEMAH also conveniently reacts with either water or ozone as the oxygen-source in the ALD process.

Cechy i korzyści

This TEMAH is packaged in a Swagelok stainless-steeldeposition system convenient for connecting to ALD systems.

  • Steel cylinder connected to 316 stainless steelball-valve
  • 1/4 inch male Swagelok VCR connections
Ta strona może zawierać tekst przetłumaczony maszynowo.

Hasło ostrzegawcze

Danger

Zwroty wskazujące rodzaj zagrożenia

Klasyfikacja zagrożeń

Acute Tox. 4 Oral - Eye Dam. 1 - Flam. Liq. 2 - Skin Corr. 1B - STOT SE 3 - Water-react 1

Organy docelowe

Respiratory system

Zagrożenia dodatkowe

Kod klasy składowania

4.3 - Hazardous materials which set free flammable gases upon contact with water

Klasa zagrożenia wodnego (WGK)

WGK 3

Temperatura zapłonu (°F)

51.8 °F - closed cup

Temperatura zapłonu (°C)

11 °C - closed cup


Wybierz jedną z najnowszych wersji:

Certyfikaty analizy (CoA)

Lot/Batch Number

Nie widzisz odpowiedniej wersji?

Jeśli potrzebujesz konkretnej wersji, możesz wyszukać konkretny certyfikat według numeru partii lub serii.

Masz już ten produkt?

Dokumenty związane z niedawno zakupionymi produktami zostały zamieszczone w Bibliotece dokumentów.

Odwiedź Bibliotekę dokumentów

Martin Rose et al.
ACS applied materials & interfaces, 2(2), 347-350 (2010-04-02)
The mechanisms of technologically important atomic layer deposition (ALD) processes, trimethylaluminium (TMA)/ozone and tetrakis(ethylmethylamino)hafnium (TEMAH)/ozone, for the growth of Al(2)O(3) and HfO(2) thin films are studied in situ by a quadrupole mass spectrometer coupled with a 300 mm ALD reactor.
Luqi Tu et al.
Nature communications, 11(1), 101-101 (2020-01-05)
Sensitive photodetection is crucial for modern optoelectronic technology. Two-dimensional molybdenum disulfide (MoS2) with unique crystal structure, and extraordinary electrical and optical properties is a promising candidate for ultrasensitive photodetection. Previously reported methods to improve the performance of MoS2 photodetectors have focused
Jaehyun Yang et al.
ACS applied materials & interfaces, 5(11), 4739-4744 (2013-05-21)
We report on the effect of oxygen plasma treatment of two-dimensional multilayer MoS2 crystals on the subsequent growth of Al2O3 and HfO2 films, which were formed by atomic layer deposition (ALD) using trimethylaluminum and tetrakis-(ethylmethylamino)hafnium metal precursors, respectively, with water

Produkty

igma-Aldrich.com presents an article regarding the savannah ALD system - an excellent tool for atomic layer deposition.

Nanocomposite Coatings with Tunable Properties Prepared by Atomic Layer Deposition

High Purity Metalorganic Precursors for CPV Device Fabrication

The properties of many devices are limited by the intrinsic properties of the materials that compose them.

Nasz zespół naukowców ma doświadczenie we wszystkich obszarach badań, w tym w naukach przyrodniczych, materiałoznawstwie, syntezie chemicznej, chromatografii, analityce i wielu innych dziedzinach.

Skontaktuj się z zespołem ds. pomocy technicznej