Przejdź do zawartości
Merck

666610

Sigma-Aldrich

Tetrakis(dimethylamido)hafnium(IV)

packaged for use in deposition systems

Synonim(y):

TDMAH, Tetrakis(dimethylamino)hafnium(IV)

Zaloguj sięWyświetlanie cen organizacyjnych i kontraktowych


About This Item

Wzór liniowy:
[(CH3)2N]4Hf
Numer CAS:
Masa cząsteczkowa:
354.79
Numer MDL:
Kod UNSPSC:
12352103
Identyfikator substancji w PubChem:
NACRES:
NA.23

Poziom jakości

Próba

≥99.99% (trace metals analysis)

Formularz

low-melting solid

przydatność reakcji

core: hafnium

mp

26-29 °C (lit.)

gęstość

1.098 g/mL at 25 °C

ciąg SMILES

CN(C)[Hf](N(C)C)(N(C)C)N(C)C

InChI

1S/4C2H6N.Hf/c4*1-3-2;/h4*1-2H3;/q4*-1;+4

Klucz InChI

ZYLGGWPMIDHSEZ-UHFFFAOYSA-N

Szukasz podobnych produktów? Odwiedź Przewodnik dotyczący porównywania produktów

Opis ogólny

Alkyl amides of Hafnium provide a convenient and effective atomic layer deposition precursor to smooth and and amorphous hafnium oxide thin films.

Zastosowanie

Used as precursor for atomic layer deposition of Hafnium Oxide nanolaminates, which are used as a reploacement for Silicon oxide in semiconductor devices.
Ta strona może zawierać tekst przetłumaczony maszynowo.

Piktogramy

FlameCorrosion

Hasło ostrzegawcze

Danger

Zwroty wskazujące rodzaj zagrożenia

Klasyfikacja zagrożeń

Flam. Sol. 1 - Skin Corr. 1B - Water-react 2

Zagrożenia dodatkowe

Kod klasy składowania

4.3 - Hazardous materials which set free flammable gases upon contact with water

Klasa zagrożenia wodnego (WGK)

WGK 3

Temperatura zapłonu (°F)

109.4 °F - closed cup

Temperatura zapłonu (°C)

43 °C - closed cup

Środki ochrony indywidualnej

Eyeshields, Faceshields, Gloves, type P3 (EN 143) respirator cartridges


Wybierz jedną z najnowszych wersji:

Certyfikaty analizy (CoA)

Lot/Batch Number

Nie widzisz odpowiedniej wersji?

Jeśli potrzebujesz konkretnej wersji, możesz wyszukać konkretny certyfikat według numeru partii lub serii.

Masz już ten produkt?

Dokumenty związane z niedawno zakupionymi produktami zostały zamieszczone w Bibliotece dokumentów.

Odwiedź Bibliotekę dokumentów

High Purity Metalorganic Precursors for CPV Device Fabrication
Rushworth S
Material Matters, 5(4) null
Surface morphology and crystallinity control in the atomic layer deposition (ALD) of hafnium and zirconium oxide thin films
Hausmann DM, Gordon RG
Journal of Crystal Growth, 249, 251-261 (2003)
Applied Physics Letters, 91, 193503-193503 (2007)
The Savannah ALD System - An Excellent Tool for Atomic Layer Deposition
Monsma D, Becker J
Material Matters, 1(3), 5-5 (2006)

Produkty

igma-Aldrich.com presents an article regarding the savannah ALD system - an excellent tool for atomic layer deposition.

Nanocomposite Coatings with Tunable Properties Prepared by Atomic Layer Deposition

High Purity Metalorganic Precursors for CPV Device Fabrication

The properties of many devices are limited by the intrinsic properties of the materials that compose them.

Nasz zespół naukowców ma doświadczenie we wszystkich obszarach badań, w tym w naukach przyrodniczych, materiałoznawstwie, syntezie chemicznej, chromatografii, analityce i wielu innych dziedzinach.

Skontaktuj się z zespołem ds. pomocy technicznej