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アッセイ
≥99.99% trace metals basis
形状
(crystalline powder)
反応適合性
reagent type: catalyst
core: gallium
密度
5.88 g/mL at 25 °C
SMILES記法
O=[Ga]O[Ga]=O
InChI
1S/2Ga.3O
InChI Key
QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N
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詳細
酸化ガリウム(III)(Ga2O3)は、透明酸化物半導体(TSO)のグループに属するワイドバンドギャップ半導体です。α-、β-、γ-、δ-およびε-など、さまざまな多形を形成する可能性があります。多結晶およびナノ結晶Ga2O3は、化学気相成長、熱蒸発および昇華、分子線エピタキシー、溶融成長など、複数の方法を使用して調製できます。オプトエレクトロニクス、化学センサー、触媒、半導体デバイス、電界効果トランジスタなど、機能性材料として、各種用途で広く使用されています。
アプリケーション
Ga2O3は、エレクトロルミネッセンス装置製造用のホスト材料として広く使用されています。例えば、ユウロピウムをドープしたGa2O3薄膜を発光層として用いて、光学的に透明なエレクトロルミネセンス装置を製造できます。
Ga2O3は、適度な導電率や高いレーザー損傷閾値などの際立った光学的および電気的特性により、レーザー駆動電子加速器、低損失プラズモニクスおよびSiベースの誘電体レーザー加速器で使用できます。
プロパンからプロペンへの脱水素において、有効な触媒としても使用できます。
Ga2O3は、適度な導電率や高いレーザー損傷閾値などの際立った光学的および電気的特性により、レーザー駆動電子加速器、低損失プラズモニクスおよびSiベースの誘電体レーザー加速器で使用できます。
プロパンからプロペンへの脱水素において、有効な触媒としても使用できます。
希少な四角錐型ガリウムの例としては、Sr2CuGaO3Sを調製する出発材料がある。
保管分類コード
11 - Combustible Solids
WGK
WGK 2
引火点(°F)
Not applicable
引火点(℃)
Not applicable
個人用保護具 (PPE)
Eyeshields, Gloves, type N95 (US)
適用法令
試験研究用途を考慮した関連法令を主に挙げております。化学物質以外については、一部の情報のみ提供しています。 製品を安全かつ合法的に使用することは、使用者の義務です。最新情報により修正される場合があります。WEBの反映には時間を要することがあるため、適宜SDSをご参照ください。
Jan Code
215066-VAR:
215066-10G:
215066-BULK:
215066-50G:
215066-1KG:
215066-100G:
試験成績書(COA)
製品のロット番号・バッチ番号を入力して、試験成績書(COA) を検索できます。ロット番号・バッチ番号は、製品ラベルに「Lot」または「Batch」に続いて記載されています。
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