Przejdź do zawartości
Merck
Wszystkie zdjęcia(1)

Kluczowe dokumenty

Wyświetl całą dokumentację

759562

Sigma-Aldrich

Tris(dimethylamino)silane

packaged for use in deposition systems

Synonim(y):

Tris(dimethylamino)silane, (Me2N)3SiH, N,N,N′,N′,N′′, N′′-Hexamethylsilanetriamine, Tris(dimethylamido)silane, N,N,N′,N′,N′′,N′′-Hexamethylsilanetriamine, TDMAS

Zaloguj sięWyświetlanie cen organizacyjnych i kontraktowych
Wszystkie zdjęcia(1)

About This Item

Wzór liniowy:
((CH3)2N)3SiH
Numer CAS:
15112-89-7
Masa cząsteczkowa:
161.32
Numer WE:
239-165-0
Numer MDL:
MFCD00048006
Kod UNSPSC:
12352103
Identyfikator substancji w PubChem:
329766793
NACRES:
NA.23

Poziom jakości

100

Próba

≥99.9% (GC)

Postać

liquid

tw

142 °C (lit.)

mp

−90 °C (lit.)

gęstość

0.838 g/mL at 25 °C (lit.)

ciąg SMILES

CN(C)[SiH](N(C)C)N(C)C

InChI

1S/C6H19N3Si/c1-7(2)10(8(3)4)9(5)6/h10H,1-6H3

Klucz InChI

TWVSWDVJBJKDAA-UHFFFAOYSA-N

Szukasz podobnych produktów? Odwiedź Przewodnik dotyczący porównywania produktów

Opis ogólny

Tris(dimethylamino)silane is an organosilicon compound with high volatility and thermal stability, widely used as a vapor deposition precursor to fabricate silicon-containing thin films for various applications, including solar cells, fuel cell catalysts, and semiconductors. The depositions can be carried out at low substrate temperatures (<150). The melting point and vapor pressure of TDMAS is in a suitable working range, thus making it a very good vapor deposition precursor.

Zastosowanie

Tris(dimethylamino)silane can be used:
  • As a silicon source for deposition of aluminum silicate on TiO2 anodes for dye-sensitized solar cells vis atomic layer deposition method.
  • As a precursor to fabricate functionalized Si reinforced separators for Li-ion batteries.

Ta strona może zawierać tekst przetłumaczony maszynowo.

Hasło ostrzegawcze

Danger

Zwroty wskazujące rodzaj zagrożenia

H225,H261,H302,H311 + H331,H314

Klasyfikacja zagrożeń

Acute Tox. 3 Dermal - Acute Tox. 3 Inhalation - Acute Tox. 4 Oral - Eye Dam. 1 - Flam. Liq. 2 - Skin Corr. 1B - Water-react 2

Zagrożenia dodatkowe

EUH029

Kod klasy składowania

4.3 - Hazardous materials which set free flammable gases upon contact with water

Klasa zagrożenia wodnego (WGK)

WGK 3

Temperatura zapłonu (°F)

16.0 - 32.0 °F - closed cup

Temperatura zapłonu (°C)

-8.89 - 0.00 °C - closed cup

Wybierz jedną z najnowszych wersji:

Certyfikaty analizy (CoA)

Lot/Batch Number
SHBJ8726
SHBG7213V
SHBG2008V
SHBC4237V

Nie widzisz odpowiedniej wersji?

Jeśli potrzebujesz konkretnej wersji, możesz wyszukać konkretny certyfikat według numeru partii lub serii.

Wyszukaj dokument COA

Masz już ten produkt?

Dokumenty związane z niedawno zakupionymi produktami zostały zamieszczone w Bibliotece dokumentów.

Odwiedź Bibliotekę dokumentów

Klienci oglądali również te produkty

Slide 1 of 3

1 of 3

Trimethylaluminum 97%

Sigma-Aldrich

257222

Trimethylaluminum

Trimethyl(methylcyclopentadienyl)platinum(IV) 98%

Sigma-Aldrich

645605

Trimethyl(methylcyclopentadienyl)platinum(IV)

Titanium tetrachloride packaged for use in deposition systems

Sigma-Aldrich

697079

Titanium tetrachloride

Boudreau; M.; Boumerzoug; M.; Mascher; P.; Jessop; P. E.
Applied Physics Letters, 63, 3014-3014 (1993)
Hirose; F.; Kinoshita; Y.; Shibuya; S.; et al
Thin Solid Films, 519, 270-270 (2011)
B Ballantyne et al.
Toxicology and industrial health, 5(1), 45-54 (1989-01-01)
The acute handling hazards of tris(dimethylamino)silane [TDMAS] were investigated. The acute male rat peroral LD50 (with 95% confidence limits) was 0.71 (0.51-0.97) ml/kg, and the acute male rabbit percutaneous LD50 was 0.57 (0.35-0.92) ml/kg. The liquid was severely irritating to

Produkty

Nanocomposite Coatings with Tunable Properties Prepared by Atomic Layer Deposition

Nanocomposite Coatings with Tunable Properties Prepared by Atomic Layer Deposition

Recent Progress in Spintronic Materials

Spin-based electronic (spintronic) devices offer significant improvement to the limits of conventional charge-based memory and logic devices which suffer from high power usage, leakage current, performance saturation, and device complexity.

Nanowire Synthesis: From Top-Down to Bottom-Up

The properties of many devices are limited by the intrinsic properties of the materials that compose them.

Nasz zespół naukowców ma doświadczenie we wszystkich obszarach badań, w tym w naukach przyrodniczych, materiałoznawstwie, syntezie chemicznej, chromatografii, analityce i wielu innych dziedzinach.

Skontaktuj się z zespołem ds. pomocy technicznej