Przejdź do zawartości
Merck

342890

Sigma-Aldrich

Silicon dioxide

−325 mesh, 99.5% trace metals basis

Synonim(y):

Cristobalite, Quartz, Sand, Silica

Zaloguj sięWyświetlanie cen organizacyjnych i kontraktowych


About This Item

Wzór liniowy:
SiO2
Numer CAS:
Masa cząsteczkowa:
60.08
Numer WE:
Numer MDL:
Kod UNSPSC:
12352303
Identyfikator substancji w PubChem:
NACRES:
NA.23

Próba

99.5% trace metals basis

Formularz

powder

współczynnik refrakcji

n20/D 1.544 (lit.)

wielkość cząstki

−325 mesh

mp

1610 °C (lit.)

gęstość

2.6 g/mL at 25 °C (lit.)

Zastosowanie

battery manufacturing

ciąg SMILES

O=[Si]=O

InChI

1S/O2Si/c1-3-2

Klucz InChI

VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N

Szukasz podobnych produktów? Odwiedź Przewodnik dotyczący porównywania produktów

Zastosowanie

SiO2 is majorly used as a substrate material with excellent thermo-mechanical properties which can be used in a variety of applications which include: vapor deposition, phase deposition, atomic force microscopy probes(AFM), spin coating, electronic based devices.

Inne uwagi

May contain adsorbed H2O and CO2 which is removable by calcining at >900°C
Ta strona może zawierać tekst przetłumaczony maszynowo.

Kod klasy składowania

13 - Non Combustible Solids

Klasa zagrożenia wodnego (WGK)

nwg

Temperatura zapłonu (°F)

Not applicable

Temperatura zapłonu (°C)

Not applicable

Środki ochrony indywidualnej

dust mask type N95 (US), Eyeshields, Gloves


Wybierz jedną z najnowszych wersji:

Certyfikaty analizy (CoA)

Lot/Batch Number

Nie widzisz odpowiedniej wersji?

Jeśli potrzebujesz konkretnej wersji, możesz wyszukać konkretny certyfikat według numeru partii lub serii.

Masz już ten produkt?

Dokumenty związane z niedawno zakupionymi produktami zostały zamieszczone w Bibliotece dokumentów.

Odwiedź Bibliotekę dokumentów

Klienci oglądali również te produkty

Electrical and optical properties of ZnO transparent conducting films by the sol-gel method.
Lee J, et al.
Journal of Crystal Growth, 247(1-2), 119-125 (2003)
Growth model of bamboo-shaped carbon nanotubes by thermal chemical vapor deposition.
Lee CJ and Park J
Applied Physics Letters, 77(21), 3397-3399 (2000)
Measurement of the adhesion force between carbon nanotubes and a silicon dioxide substrate.
Whittaker JD, et al.
Nano Letters, 6(5), 953-957 (2006)
Oxygen-aided synthesis of polycrystalline graphene on silicon dioxide substrates.
Chen J, et al.
Journal of the American Chemical Society, 133(44), 17548-17551 (2011)
The effect of calcination temperature on the surface microstructure and photocatalytic activity of TiO2 thin films prepared by liquid phase deposition.
Yu J, et al.
The Journal of Physical Chemistry B, 107(50), 13871-13879 (2003)

Nasz zespół naukowców ma doświadczenie we wszystkich obszarach badań, w tym w naukach przyrodniczych, materiałoznawstwie, syntezie chemicznej, chromatografii, analityce i wielu innych dziedzinach.

Skontaktuj się z zespołem ds. pomocy technicznej