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詳細
Monolayer h-BN
hBN Coverage: 100% with sporadic adlayers
Bandgap: 5.97 eV
Raman Peak: 1370 /cm-1
Orientation: <1-0-0>
Metal Impurities: 1.00e10 – 5.00e10 (at/cm2)
Substrate
Type/Doping: P/B
Wafer Thickness : 500 ± 50 μm
Oxide Thickness: 300 nm
Resistivity: 1 – 10 (ohm/cm)
品質水準
直径
100 mm (4 in.)
粒径
>4 μm
SMILES記法
B#N
InChI
1S/BN/c1-2
InChI Key
PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N
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アプリケーション
Monolayer hexagonal boron nitride (h-BN), also known as ″white graphene″, is a wide-bandgap 2D crystal (∼6 eV that can be tuned to ∼2 eV) with exceptional strength, large oxidation resistance at high temperatures, and optical functionalities. Among its potential applications are:
- Two-dimensional electronics
- Nanophotonic and other optoelectronic devices
- Quantum communication and information science
- Aerospace industry
- MEMS and NEMS
- Micro-/nano- actuators
- Insulating/transparent coatings.
保管および安定性
To ensure the maximum shelf life of your hBN sample, it is best stored under vacuum or in inert atmosphere (Argon or Nitrogen) conditions once the vacuum sealed package has been opened.
保管分類コード
13 - Non Combustible Solids
WGK
WGK 3
適用法令
試験研究用途を考慮した関連法令を主に挙げております。化学物質以外については、一部の情報のみ提供しています。 製品を安全かつ合法的に使用することは、使用者の義務です。最新情報により修正される場合があります。WEBの反映には時間を要することがあるため、適宜SDSをご参照ください。
PRTR
第一種指定化学物質
労働安全衛生法名称等を表示すべき危険物及び有害物
名称等を表示すべき危険物及び有害物
労働安全衛生法名称等を通知すべき危険物及び有害物
名称等を通知すべき危険物及び有害物
Jan Code
920932-BULK:
920932-1EA:
920932-1EA-PW:
920932-VAR:
最新バージョンのいずれかを選択してください:
Monolayer to Bulk Properties of Hexagonal Boron Nitride.
Wickramaratne D, et al.
The Journal of Physical Chemistry C, 122(44), 25524-25529 (2018)
Xu-Qian Zheng et al.
Microsystems & nanoengineering, 3, 17038-17038 (2017-07-31)
Atomic layers of hexagonal boron nitride (h-BN) crystal are excellent candidates for structural materials as enabling ultrathin, two-dimensional (2D) nanoelectromechanical systems (NEMS) due to the outstanding mechanical properties and very wide bandgap (5.9 eV) of h-BN. In this work, we report
Kun Ba et al.
Scientific reports, 7, 45584-45584 (2017-04-04)
Monolayer hexagonal boron nitride (h-BN) possesses a wide bandgap of ~6 eV. Trimming down the bandgap is technically attractive, yet poses remarkable challenges in chemistry. One strategy is to topological reform the h-BN's hexagonal structure, which involves defects or grain boundaries
ライフサイエンス、有機合成、材料科学、クロマトグラフィー、分析など、あらゆる分野の研究に経験のあるメンバーがおります。.
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