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ケイ素

wafer (single side polished), <100>, N-type, contains no dopant, diam. × thickness 2 in. × 0.5 mm

• 別名: ケイ素元素
• 化学式: Si
• CAS番号: 7440-21-3
• 分子量: 28.09
• EC Number: 231-130-8
• MDL番号: MFCD00085311
• UNSPSCコード: 12352300
• PubChem Substance ID: 24883476
• NACRES: NA.23

特性

• 形状: crystalline (cubic (a = 5.4037)); wafer (single side polished)
• 含まれません: dopant
• 直径×厚み: 2 in. × 0.5 mm
• bp: 2355 °C (lit.)
• mp: 1410 °C (lit.)
• 密度: 2.33 g/mL at 25 °C (lit.)
• 半導体特性: <100>, N-type
• SMILES記法: [Si]
• InChI: 1S/Si
• InChI Key: XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N

詳細

詳細

シリコンウェハーすなわち基板の「スライス」は、集積回路、太陽電池などの製造で用途があります。さまざまなマイクロ電子デバイスの基板として機能します。

アプリケーション

• Innovative Solutions for High-Performance Silicon Anodes in Lithium-Ion Batteries: Overcoming Challenges and Real-World Applications.：この論文では、リチウムイオン電池における高性能シリコンアノードの課題および実世界の用途に取り組み、その効率を向上させる革新的なソリューションを提示しています（Khan et al., 2024）。
• Strain Engineering: Perfecting Freestanding Perovskite Oxide Fabrication.：この研究では、学界でのさまざまな高純度ケイ素の用途に不可欠である、自立型ペロブスカイト酸化物の作製を改善するための歪みの設計に焦点を合わせています（Yun et al., 2024）。

物性

Pタイプ伝導体です。0渦流欠陥。エッチピッチ密度(EPD) < 100 (cm^-2)。抵抗率 10² - 10⁴ Ωcm。

酸素含有量: ≤ 1~1.8 x 10¹⁸ /cm³; 炭素含有量: ≤ 5 x 10¹⁶ /cm³; 結晶径: 1~8 ″。

安全性情報

• 保管分類コード: 13 - Non Combustible Solids
• WGK: WGK 3
• 引火点(°F): Not applicable
• 引火点(℃): Not applicable
• 個人用保護具 (PPE): Eyeshields, Gloves, type N95 (US)