コンテンツへスキップ
Merck
すべての画像(1)

Key Documents

安全性情報

901624

Sigma-Aldrich

Buffered oxide etchant (BOE) 6:1

別名:

BHF, Buffered HF

ログイン組織・契約価格を表示する


About This Item

UNSPSCコード:
12161700
NACRES:
NA.23

形状

liquid

品質水準

詳細

BOE 6:1 is 6 parts by volume 40% ammonium fluoride and 1 part by volume 49% HF.
Buffered oxide etchant (BOE) is a wet etchant used in microfabrication. Its primary use is in etching thin films of silicon dioxide (SiO2) or silicon nitride (Si3N4). It is a mixture of a buffering agent, such as ammonium fluoride (NH4F), and hydrofluoric acid (HF). Concentrated HF etches silicon dioxide too quickly for good process control and also peels photoresist used in lithographic patterning.

アプリケーション

Buffered oxide etchant (BOE) 6:1 can be used in the oxide removal of AlGaN/GaN-based high electron mobility transistors for gate photolithography. It can be used in a buffer oxide etchant method for the fabrication of micro biochip.

ピクトグラム

Skull and crossbonesCorrosion

シグナルワード

Danger

危険有害性情報

危険有害性の分類

Acute Tox. 1 Dermal - Acute Tox. 2 Oral - Acute Tox. 3 Inhalation - Eye Dam. 1 - Skin Corr. 1A

保管分類コード

6.1B - Non-combustible acute toxic Cat. 1 and 2 / very toxic hazardous materials

WGK

WGK 2

引火点(°F)

Not applicable

引火点(℃)

Not applicable


適用法令

試験研究用途を考慮した関連法令を主に挙げております。化学物質以外については、一部の情報のみ提供しています。 製品を安全かつ合法的に使用することは、使用者の義務です。最新情報により修正される場合があります。WEBの反映には時間を要することがあるため、適宜SDSをご参照ください。

毒物及び劇物取締法

劇物
毒物

PRTR

第一種指定化学物質

労働安全衛生法名称等を表示すべき危険物及び有害物

名称等を表示すべき危険物及び有害物

労働安全衛生法名称等を通知すべき危険物及び有害物

名称等を通知すべき危険物及び有害物

Jan Code

901624-BULK:
901624-VAR:
901624-4L:
901624-1L:4548173354743


最新バージョンのいずれかを選択してください:

試験成績書(COA)

Lot/Batch Number

適切なバージョンが見つかりませんか。

特定のバージョンが必要な場合は、ロット番号またはバッチ番号で特定の証明書を検索できます。

以前この製品を購入いただいたことがある場合

文書ライブラリで、最近購入した製品の文書を検索できます。

文書ライブラリにアクセスする

この製品を見ている人はこちらもチェック

Effect of passivation on AlGaN/GaN HEMT device performance
2000 IEEE international symposium on compound semiconductors, 357-363 (2000)
Fabrication of a new micro bio chip and flow cell cytometry system using Bio-MEMS technology
Byun I, et al.
Microelectronics Journal, 39(5), 717-722 (2008)
Surface cleaning and preparation in AlGaN/GaN-based HEMT processing as assessed by X-ray photoelectron spectroscopy
Gonzalez-Posada F, et al.
Applied Surface Science, 253(14), 6185-6190 (2007)

ライフサイエンス、有機合成、材料科学、クロマトグラフィー、分析など、あらゆる分野の研究に経験のあるメンバーがおります。.

製品に関するお問い合わせはこちら(テクニカルサービス)