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詳細
Indium(III) chloride tetrahydrate is a Lewisacid widely used as a catalyst for various organic transformationssuch as Friedel-Crafts acylation and aldolcondensation. It is also used as a precursor to prepare indium-based thin filmsfor solar cells.
アプリケーション
Indium(III) chloride tetrahydrate can be used:
- As a catalyst for the stereoselective synthesis of highly substituted 4-Piperidones via double Mannich reaction.
- To fabricate In2S3 thin films that act as buffer layers for inverted organic photovoltaic cells.
- As a precursor to prepare ZnO/CuInS2 nanocomposite with photocatalytic activity.
- To fabricate Indium tin oxide(ITO) thin films for various applicationssuch as gas sensors, solar cells, and conductive inks.
シグナルワード
Danger
危険有害性情報
危険有害性の分類
Skin Corr. 1B
保管分類コード
8A - Combustible corrosive hazardous materials
WGK
WGK 3
引火点(°F)
Not applicable
引火点(℃)
Not applicable
個人用保護具 (PPE)
Eyeshields, Faceshields, Gloves, type P3 (EN 143) respirator cartridges
適用法令
試験研究用途を考慮した関連法令を主に挙げております。化学物質以外については、一部の情報のみ提供しています。 製品を安全かつ合法的に使用することは、使用者の義務です。最新情報により修正される場合があります。WEBの反映には時間を要することがあるため、適宜SDSをご参照ください。
PRTR
第一種指定化学物質
労働安全衛生法名称等を表示すべき危険物及び有害物
名称等を表示すべき危険物及び有害物
労働安全衛生法名称等を通知すべき危険物及び有害物
名称等を通知すべき危険物及び有害物
Jan Code
334073-5G:4548173313931
334073-VAR:
334073-BULK:
334073-50G:4548173313924
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International journal of toxicology, 39(3), 218-231 (2020-04-02)
The semiconductor manufacturing sector plans to introduce III/V film structures (eg, gallium arsenide (GaAs), indium arsenide (InAs) onto silicon wafers due to their high electron mobility and low power consumption. Aqueous solutions generated during chemical and mechanical planarization of silicon
ライフサイエンス、有機合成、材料科学、クロマトグラフィー、分析など、あらゆる分野の研究に経験のあるメンバーがおります。.
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