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Sigma-Aldrich

Bis(methyl-η5−cyclopentadienyl)methoxymethylzirconium

packaged for use in deposition systems

Sinônimo(s):

ZRCMMM, ZrD-CO4

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About This Item

Fórmula linear:
Zr(CH3C5H4)2CH3OCH3
Peso molecular:
295.53
Número MDL:
Código UNSPSC:
12352103
ID de substância PubChem:
NACRES:
NA.23

Formulário

liquid

adequação da reação

core: zirconium

cor

colorless

p.e.

110 °C/0.5 mmHg (lit.)

densidade

1.27 g/mL±0.01 g/mL at 25 °C (lit.)

cadeia de caracteres SMILES

C[C]1[C][C][C][C]1.C[C]2[C][C][C][C]2.C[Zr]OC

InChI

1S/2C6H7.CH3O.CH3.Zr/c2*1-6-4-2-3-5-6;1-2;;/h2*2-5H,1H3;1H3;1H3;/q;;-1;;+1

chave InChI

LFGIFPGCOXPKMG-UHFFFAOYSA-N

Descrição geral

Atomic number of base material: 40 Zirconium

Aplicação

Advanced precursor for atomic layer deposition of ZrO2 thin films. Hafnium and zirconium oxides are leading candidates to replace silicion dioxide as the gate oxide in a variety of semiconductor and energy applications. Excellent properties of HfO2 and ZrO2 films make them especially attractive for gate oxide replacement and as potential insulating dielectrics for capacitive elements in memory devices such as DRAM.

Características e benefícios

Compatible with a variety of oxidants in ALD growth processes across a wide temperature range exhibiting self limiting growth up to 400 °C. Precursor volatility and thermal stability properties enable easy materials transport from bubblers into conventional deposition tools.

Embalagem

Packaged in stainless steel cylinders compatible with conventional deposition systems. Precursors may be used in liquid injection systems as dilute solutions and in combination with a variety of other sources to deposit mixed oxides.

Pictogramas

Exclamation mark

Palavra indicadora

Warning

Frases de perigo

Declarações de precaução

Classificações de perigo

Acute Tox. 4 Oral - Eye Irrit. 2 - Skin Irrit. 2

Código de classe de armazenamento

10 - Combustible liquids not in Storage Class 3

Classe de risco de água (WGK)

WGK 3

Ponto de fulgor (°F)

226.4 °F

Ponto de fulgor (°C)

108 °C


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J. W. Elama
Applied Physics Letters, 91, 253123-253123 (2007)
High-k gate dielectrics: current status and material properties considerations
Wilk, G.D.; Wallace, R.M.; Anthony, J.M.
Journal of Applied Physics, 89, 5243-5243 (2001)
Gutsche, M.; Seidl, H.; Luetzen J.; Birner, A.;
International Electron Devices Meeting, 18-18 (2001)

Artigos

igma-Aldrich.com presents an article regarding the savannah ALD system - an excellent tool for atomic layer deposition.

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