634875
Aluminum oxide
single crystal substrate, <0001>
Synonim(y):
Sapphire, Alumina
About This Item
Polecane produkty
opis
Crystallographic D spacing ((0001) - c plane: 2.165 Angstrom)
Crystallographic D spacing ((1011) - s plane: 1.961 Angstrom)
Crystallographic D spacing ((1040) - m plane: 1.375 Angstrom)
Crystallographic D spacing ((1102) - r plane: 1.740 Angstrom)
Crystallographic D spacing ((1120) - a plane: 2.379 Angstrom)
Crystallographic D spacing ((1123) - n plane: 1.147 Angstrom)
single side polished
Postać
single crystal substrate
twardość
9 mohs
dł. × szer. × grubość
10 mm × 10 mm × 0.5 mm
mp
2040 °C (lit.)
właściwości półprzewodników
<0001>
ciąg SMILES
O=[Al]O[Al]=O
InChI
1S/2Al.3O
Klucz InChI
TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N
Szukasz podobnych produktów? Odwiedź Przewodnik dotyczący porównywania produktów
Powiązane kategorie
Cechy i korzyści
Właściwości fizyczne
Postać fizyczna
Kod klasy składowania
13 - Non Combustible Solids
Klasa zagrożenia wodnego (WGK)
nwg
Temperatura zapłonu (°F)
Not applicable
Temperatura zapłonu (°C)
Not applicable
Środki ochrony indywidualnej
Eyeshields, Gloves, type N95 (US)
Certyfikaty analizy (CoA)
Poszukaj Certyfikaty analizy (CoA), wpisując numer partii/serii produktów. Numery serii i partii można znaleźć na etykiecie produktu po słowach „seria” lub „partia”.
Masz już ten produkt?
Dokumenty związane z niedawno zakupionymi produktami zostały zamieszczone w Bibliotece dokumentów.
Produkty
Since the demonstration of the first practical solar cell 60 years ago, research on novel materials, improved solar cell design and structure, and innovative manufacturing processes have all contributed to a continuous increase in the efficiency of photovoltaic (PV) devices.
A hard disk drive (HDD) is a data storage device that stores digital information by magnetizing nanosized magnets on flat disks and retrieves data by sensing the resulting magnetic field.
Building and Engineering Micro/Nano Architectures of Single-Walled Carbon Nanotubes for Electronic Applications
Spin-based electronic (spintronic) devices offer significant improvement to the limits of conventional charge-based memory and logic devices which suffer from high power usage, leakage current, performance saturation, and device complexity.
Nasz zespół naukowców ma doświadczenie we wszystkich obszarach badań, w tym w naukach przyrodniczych, materiałoznawstwie, syntezie chemicznej, chromatografii, analityce i wielu innych dziedzinach.
Skontaktuj się z zespołem ds. pomocy technicznej