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901624

Sigma-Aldrich

Buffered oxide etchant (BOE) 6:1

동의어(들):

BHF, Buffered HF

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About This Item

UNSPSC 코드:
12161700
NACRES:
NA.23

형태

liquid

Quality Level

일반 설명

BOE 6:1 is 6 parts by volume 40% ammonium fluoride and 1 part by volume 49% HF.
Buffered oxide etchant (BOE) is a wet etchant used in microfabrication. Its primary use is in etching thin films of silicon dioxide (SiO2) or silicon nitride (Si3N4). It is a mixture of a buffering agent, such as ammonium fluoride (NH4F), and hydrofluoric acid (HF). Concentrated HF etches silicon dioxide too quickly for good process control and also peels photoresist used in lithographic patterning.

애플리케이션

Buffered oxide etchant (BOE) 6:1 can be used in the oxide removal of AlGaN/GaN-based high electron mobility transistors for gate photolithography. It can be used in a buffer oxide etchant method for the fabrication of micro biochip.

픽토그램

Skull and crossbonesCorrosion

신호어

Danger

유해 및 위험 성명서

Hazard Classifications

Acute Tox. 1 Dermal - Acute Tox. 2 Oral - Acute Tox. 3 Inhalation - Eye Dam. 1 - Skin Corr. 1A

Storage Class Code

6.1B - Non-combustible acute toxic Cat. 1 and 2 / very toxic hazardous materials

WGK

WGK 2

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Not applicable

Flash Point (°C)

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문서 라이브러리 방문

Effect of passivation on AlGaN/GaN HEMT device performance
2000 IEEE international symposium on compound semiconductors, 357-363 (2000)
Fabrication of a new micro bio chip and flow cell cytometry system using Bio-MEMS technology
Byun I, et al.
Microelectronics Journal, 39(5), 717-722 (2008)
Surface cleaning and preparation in AlGaN/GaN-based HEMT processing as assessed by X-ray photoelectron spectroscopy
Gonzalez-Posada F, et al.
Applied Surface Science, 253(14), 6185-6190 (2007)

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