920126
Graphene, monolayer film
4 in diameter, CVD on silicon wafer, large grain, avg. no. of layers, 1
Sinonimo/i:
Roll-to-Roll graphene
About This Item
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Nome del prodotto
R2R Monolayer large grain CVD graphene on silicon wafer, 4 in diameter, avg. no. of layers, 1
Livello qualitativo
Descrizione
Growth method: roll-to-roll CVD
Wafer: SiO2 (300nm) Si
Number of layer: Monolayer
Raman intensity 2D/G: ≥1.5
Caratteristiche
avg. no. of layers 1
Resistenza foglio
280 Ω/sq ±10%
Misura
110 μm × 110 μm ± 10% , grain size
Copertura della superficie
surface coverage >98%
Trasmittanza
>97%
Caratteristiche del semiconduttore
(mobility>3000 cm2/V·s) (Hall effect measurements)
Stringa SMILE
NC.NC.NC.NC.NC.NC.NC.NC.NC
InChI
DXIFQVRACSPGSU-UHFFFAOYSA-N
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Descrizione generale
Applicazioni
The roll-to-roll process allows continuous, large scale graphene production.
This large grain size graphene product on silicon wafer is ready to use, helps you minimize process time, and increase success rate. This product with low sheet resistance would enable unmatched reproducibility and allow high performance for CVD graphene based FET, CVD graphene based sensors, and heterostructure based micro/nano electronics.
Application examples:
- Ultrafast Transistor
- Optical devices
- Bio/Gas Sensor
- Transparent Electrode
- Flexible Display
- Smart Coating
- Thermal management
Avvertenza
Keep away from contamination, heat, dust and flame etc.
Stoccaggio e stabilità
Note legali
Codice della classe di stoccaggio
11 - Combustible Solids
Classe di pericolosità dell'acqua (WGK)
WGK 3
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Certificati d'analisi (COA)
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