920959
Graphene, monolayer film
on Si/SiO2 wafer, diam. 100 mm (4 in.)
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Monolayer Graphene on Si/SiO2 wafer, diam. 100 mm (4 in.)
Descrizione
Graphene Coverage: 100% with sporadic adlayers
Metal Impurities: 1.00e10 – 5.00e10 (at/cm) substrate
Monolayer Graphene Transparency: >97%
Raman D/G ratio: Indistinguishable to 0.03
Substrate Type/Doping: P/B
430 Ω/sq ±50 Ω/sq
Livello qualitativo
Resistività
1-10 Ω-cm
Diametro
100 mm (4 in.)
Dimensione grani
>40 μm
Caratteristiche del semiconduttore
(mobility>2700 cm2/V·s) (FET mobility)
InChI
1S/C
OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N
Descrizione generale
Applicazioni
Stoccaggio e stabilità
Altre note
Codice della classe di stoccaggio
13 - Non Combustible Solids
Classe di pericolosità dell'acqua (WGK)
WGK 3
Punto d’infiammabilità (°F)
Not applicable
Punto d’infiammabilità (°C)
Not applicable
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