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237264

Sigma-Aldrich

Resolve-Al La

99%

Sinônimo(s):

La(tmhd)3, Tris(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato)lanthanum

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About This Item

Fórmula linear:
La(OCC(CH3)3CHCOC(CH3)3)3
Número CAS:
Peso molecular:
688.71
Número MDL:
Código UNSPSC:
12142201
ID de substância PubChem:
NACRES:
NA.21
Ensaio:
99%
p.e.:
370 °C (lit.)

Ensaio

99%

Formulário

powder or crystals

p.e.

370 °C (lit.)

pf

128-131 °C (lit.)

cadeia de caracteres SMILES

CC(C)(C)C(=O)\C=C(/O[Yb](O\C(=C/C(=O)C(C)(C)C)C(C)(C)C)O\C(=C/C(=O)C(C)(C)C)C(C)(C)C)C(C)(C)C

InChI

1S/3C11H20O2.La/c3*1-10(2,3)8(12)7-9(13)11(4,5)6;/h3*7,12H,1-6H3;/q;;;+3/p-3/b3*8-7-;

chave InChI

IXHLTRHDDMSNAP-LWTKGLMZSA-K

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Informações legais

Código de classe de armazenamento

11 - Combustible Solids

Classe de risco de água (WGK)

WGK 3

Ponto de fulgor (°F)

Not applicable

Ponto de fulgor (°C)

Not applicable

Equipamento de proteção individual

Eyeshields, Gloves, type N95 (US)


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Structural and electrical properties of a La2O3 thin film as a gate dielectric.
Jun JH, et al.
The Journal of the Korean Physical Society, 11(6) (2002)
Study on the precursors for La2O3 thin films deposited on silicon substrate.
Jun J, et al.
Journal of Materials Science Letters, 21(23), 1847-1849 (2002)
MOCVD of lanthanum oxides from La (tmhd)3 and La (tmod)3 precursors: A thermal and kinetic investigation.
Bedoya C, et al.
Chem. Vap. Deposition, 12(1), 46-53 (2006)

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