Przejdź do zawartości
Merck
Wszystkie zdjęcia(1)

Kluczowe dokumenty

Wyświetl całą dokumentację

651486

Sigma-Aldrich

Gallium arsenide

(single crystal substrate), <100>, diam. × thickness 2 in. × 0.5 mm

Synonim(y):

Monoarsenek galu

Zaloguj sięWyświetlanie cen organizacyjnych i kontraktowych
Wszystkie zdjęcia(1)

About This Item

Wzór liniowy:
GaAs
Numer CAS:
1303-00-0
Masa cząsteczkowa:
144.64
Numer WE:
215-114-8
Numer MDL:
MFCD00011017
Kod UNSPSC:
12352300
Identyfikator substancji w PubChem:
24883832
NACRES:
NA.23

Poziom jakości

100

Formularz

(single crystal substrate)

rezystywność

≥1E7 Ω-cm

śr. × grubość

2 in. × 0.5 mm

gęstość

5.31 g/mL at 25 °C (lit.)

właściwości półprzewodników

<100>

ciąg SMILES

[Ga]#[As]

InChI

1S/As.Ga

Klucz InChI

JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N

Szukasz podobnych produktów? Odwiedź Przewodnik dotyczący porównywania produktów

Powiązane kategorie

Właściwości fizyczne

Mobility >=4500 cm2 · V-1 · S-1
Undoped (Si-type semiconductor), EPD < 5 × 104 cm-2, growth technique = LEC & HB

Postać fizyczna

cubic (a = 5.6533 Å)
Ta strona może zawierać tekst przetłumaczony maszynowo.

Piktogramy

Health hazard
GHS08

Hasło ostrzegawcze

Danger

Zwroty wskazujące rodzaj zagrożenia

H350,H360F,H372

Zwroty wskazujące środki ostrożności

P202 - P260 - P264 - P280 - P308 + P313 - P405

Klasyfikacja zagrożeń

Carc. 1B - Repr. 1B - STOT RE 1

Organy docelowe

Respiratory system,hematopoietic system

Kod klasy składowania

6.1A - Combustible acute toxic Cat. 1 and 2 / very toxic hazardous materials

Klasa zagrożenia wodnego (WGK)

WGK 3

Temperatura zapłonu (°F)

Not applicable

Temperatura zapłonu (°C)

Not applicable

Wykazy regulacyjne

Wykazy regulacyjne dotyczą głównie produktów chemicznych. Można w nich podawać ograniczoną liczbę informacji na temat produktów niechemicznych. Brak wpisu oznacza, że żaden ze składników nie znajduje się w wykazie. Użytkownik odpowiada za zagwarantowanie bezpiecznego i zgodnego z prawem stosowania produktu.

EU REACH Annex XVII (Restriction List)

CAS No.

Wybierz jedną z najnowszych wersji:

Certyfikaty analizy (CoA)

Lot/Batch Number
MKCQ3703
MKCP1414
MKCH7479
MKCC3292
10719AD

Nie widzisz odpowiedniej wersji?

Jeśli potrzebujesz konkretnej wersji, możesz wyszukać konkretny certyfikat według numeru partii lub serii.

Wyszukaj dokument COA

Masz już ten produkt?

Dokumenty związane z niedawno zakupionymi produktami zostały zamieszczone w Bibliotece dokumentów.

Odwiedź Bibliotekę dokumentów

Chao-Wei Hsu et al.
Nanotechnology, 23(49), 495306-495306 (2012-11-17)
GaAs is grown by metal-organic vapor-phase epitaxy on a 55 nm round-hole patterned Si substrate with SiO(2) as a mask. The threading dislocations, which are stacked on the lowest energy facet plane, move along the SiO(2) walls, reducing the number
Shih-Wei Tan et al.
PloS one, 7(11), e50681-e50681 (2012-12-12)
Characterization and modeling of metal-semiconductor-metal (MSM) GaAs diodes using to evaporate SiO₂ and Pd simultaneously as a mixture electrode (called M-MSM diodes) compared with similar to evaporate Pd as the electrode (called Pd-MSM diodes) were reported. The barrier height (φ(b))
Yu Bomze et al.
Physical review letters, 109(2), 026801-026801 (2012-10-04)
We report on measurements of first-passage-time distributions associated with current switching in weakly coupled GaAs/AlAs superlattices driven by shot noise, a system that is both far from equilibrium and high dimensional. Static current-voltage (I-V) characteristics exhibit multiple current branches and
Chan Il Yeo et al.
Optics express, 20(17), 19554-19562 (2012-10-06)
We present a simple, cost-effective, large scale fabrication technique for antireflective disordered subwavelength structures (d-SWSs) on GaAs substrate by Ag etch masks formed using spin-coated Ag ink and subsequent inductively coupled plasma (ICP) etching process. The antireflection characteristics of GaAs
[A matrix gallium-arsenide detector for roentgenoraphy].
A P Vorob'ev et al.
Meditsinskaia tekhnika, (5)(5), 21-26 (2012-11-20)
Wyświetl wszystkie powiązane dokumenty

Produkty

FePt Nanogranular films for high density heat-assisted magnetic recording

A hard disk drive (HDD) is a data storage device that stores digital information by magnetizing nanosized magnets on flat disks and retrieves data by sensing the resulting magnetic field.

Building and Engineering Micro/Nano Architectures of Single-Walled Carbon Nanotubes for Electronic Applications

Building and Engineering Micro/Nano Architectures of Single-Walled Carbon Nanotubes for Electronic Applications

Recent Progress in Spintronic Materials

Spin-based electronic (spintronic) devices offer significant improvement to the limits of conventional charge-based memory and logic devices which suffer from high power usage, leakage current, performance saturation, and device complexity.

Protokoły

Negative Photoresist Procedure

Negative Photoresist Procedure

Global Trade Item Number

SKUGTIN
651486-1EA4061832732602

Nasz zespół naukowców ma doświadczenie we wszystkich obszarach badań, w tym w naukach przyrodniczych, materiałoznawstwie, syntezie chemicznej, chromatografii, analityce i wielu innych dziedzinach.

Skontaktuj się z zespołem ds. pomocy technicznej