Przejdź do zawartości
Merck

481769

Sigma-Aldrich

Gallium nitride

99.9% trace metals basis

Synonim(y):

Gallium mononitride, Gallium mononitride (GaN)

Zaloguj sięWyświetlanie cen organizacyjnych i kontraktowych


About This Item

Wzór liniowy:
GaN
Numer CAS:
Masa cząsteczkowa:
83.73
Numer WE:
Numer MDL:
Kod UNSPSC:
12352300
Identyfikator substancji w PubChem:
NACRES:
NA.23

Próba

99.9% trace metals basis

Formularz

powder

mp

800 °C (lit.)

ciąg SMILES

N#[Ga]

InChI

1S/Ga.N

Klucz InChI

JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N

Szukasz podobnych produktów? Odwiedź Przewodnik dotyczący porównywania produktów

Zastosowanie

Gallium nitride (GaN) is a wide band gap semiconducting material, which can be used in the development of a variety of electronic devices, such as light emitting diodes (LEDs), and field effect transistors (FETs). It can also be used as a transition metal dopant for spintronics-based applications.
Ta strona może zawierać tekst przetłumaczony maszynowo.

Piktogramy

Exclamation mark

Hasło ostrzegawcze

Warning

Zwroty wskazujące rodzaj zagrożenia

Zwroty wskazujące środki ostrożności

Klasyfikacja zagrożeń

Skin Sens. 1

Kod klasy składowania

11 - Combustible Solids

Klasa zagrożenia wodnego (WGK)

WGK 3

Temperatura zapłonu (°F)

Not applicable

Temperatura zapłonu (°C)

Not applicable

Środki ochrony indywidualnej

Eyeshields, Faceshields, Gloves, type N95 (US)


Wybierz jedną z najnowszych wersji:

Certyfikaty analizy (CoA)

Lot/Batch Number

Nie widzisz odpowiedniej wersji?

Jeśli potrzebujesz konkretnej wersji, możesz wyszukać konkretny certyfikat według numeru partii lub serii.

Masz już ten produkt?

Dokumenty związane z niedawno zakupionymi produktami zostały zamieszczone w Bibliotece dokumentów.

Odwiedź Bibliotekę dokumentów

Klienci oglądali również te produkty

Slide 1 of 1

1 of 1

Sanjay Sankaranarayanan et al.
ACS omega, 4(12), 14772-14779 (2019-09-26)
Growth of gallium nitride nanowires on etched sapphire and GaN substrates using binary catalytic alloy were investigated by manipulating the growth time and precursor-to-substrate distance. The variations in behavior at different growth conditions were observed using X-ray diffractometer, Raman spectroscopy
Fabrizio Gaulandris et al.
Microscopy and microanalysis : the official journal of Microscopy Society of America, Microbeam Analysis Society, Microscopical Society of Canada, 26(1), 3-17 (2020-01-21)
One of the biggest challenges for in situ heating transmission electron microscopy (TEM) and scanning transmission electron microscopy (STEM) is the ability to measure the local temperature of the specimen accurately. Despite technological improvements in the construction of TEM/STEM heating

Produkty

Polimery przewodzące, takie jak polianilina, politiofen i polifluoreny, są obecnie w centrum uwagi ze względu na ich zastosowania w elektronice organicznej i optoelektronice.

Conducting polymers such as polyaniline, polythiophene and polyfluorenes are now much in the spotlight for their applications in organic electronics and optoelectronics.

Spectral conversion for solar cells is an emerging concept in the field of photovoltaics, and it has the potential to increase significantly the efficiency of solar cells. Lanthanide ions are ideal candidates for spectral conversion, due to their high luminescence efficiencies and rich energy level structure that allows for great flexibility in the upconversion and downconversion of photons in a wide spectral region (NIR-VIS-UV).

Nasz zespół naukowców ma doświadczenie we wszystkich obszarach badań, w tym w naukach przyrodniczych, materiałoznawstwie, syntezie chemicznej, chromatografii, analityce i wielu innych dziedzinach.

Skontaktuj się z zespołem ds. pomocy technicznej