Przejdź do zawartości
Merck

205184

Sigma-Aldrich

Hexachlorodisilane

96%

Synonim(y):

1,1,1,2,2,2-heksachlorodisilan, HCDS, Sześciochlorek krzemu

Zaloguj sięWyświetlanie cen organizacyjnych i kontraktowych


About This Item

Wzór liniowy:
(SiCl3)2
Numer CAS:
Masa cząsteczkowa:
268.89
Numer WE:
Numer MDL:
Kod UNSPSC:
12352103
Identyfikator substancji w PubChem:
NACRES:
NA.23

Próba

96%

Formularz

liquid

współczynnik refrakcji

n20/D 1.475 (lit.)

bp

144-145.5 °C (lit.)

gęstość

1.562 g/mL at 25 °C (lit.)

ciąg SMILES

Cl[Si](Cl)(Cl)[Si](Cl)(Cl)Cl

InChI

1S/Cl6Si2/c1-7(2,3)8(4,5)6

Klucz InChI

LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N

Szukasz podobnych produktów? Odwiedź Przewodnik dotyczący porównywania produktów

Opis ogólny

Hexachlorodisilane (HCDS) is a chlorosilane used as a precursor for producing disilanes. It is a dioxidizer that is used in the production of silicon films and silicon nitride based films.

Zastosowanie

HCDS can be used in the fabrication of silica aerogels by chemical vapor deposition (CVD), which can be potentially used as encapsulating agents and thermal insulators. It can also be used to synthesize 1,1,1,2,2,2-hexaamino-disilanes using CVD, which forms silicon-based films for microelectronic-based applications.
HCDS may be used as a reducing agent. It may be combined with ammonia to form silicon nitride by chemical vapor deposition(CVD) technique.
Ta strona może zawierać tekst przetłumaczony maszynowo.

Piktogramy

Corrosion

Hasło ostrzegawcze

Danger

Zwroty wskazujące rodzaj zagrożenia

Klasyfikacja zagrożeń

Skin Corr. 1B

Zagrożenia dodatkowe

Kod klasy składowania

8A - Combustible corrosive hazardous materials

Klasa zagrożenia wodnego (WGK)

WGK 3

Temperatura zapłonu (°F)

Not applicable

Temperatura zapłonu (°C)

Not applicable

Środki ochrony indywidualnej

Faceshields, Gloves, Goggles, type ABEK (EN14387) respirator filter


Wybierz jedną z najnowszych wersji:

Certyfikaty analizy (CoA)

Lot/Batch Number

Nie widzisz odpowiedniej wersji?

Jeśli potrzebujesz konkretnej wersji, możesz wyszukać konkretny certyfikat według numeru partii lub serii.

Masz już ten produkt?

Dokumenty związane z niedawno zakupionymi produktami zostały zamieszczone w Bibliotece dokumentów.

Odwiedź Bibliotekę dokumentów

Film Properties of Low?k Silicon Nitride Films Formed by Hexachlorodisilane and Ammonia.
Tanaka M , et al.
Journal of the Electrochemical Society, 147(6), 2284-2289 (2000)
Enhancing mechanical properties of silica aerogels
Obrey, K. A., Wilson, K. V., & Loy, D. A.
Journal of Non-Crystalline Solids, 375(19), 3435-3441 (2011)
Z Yu et al.
Journal of chromatography. A, 903(1-2), 183-191 (2001-01-12)
Carbon isotopic compositions of aetio I occurring in the form of free-base, nickel, demetallation, dihydroxysilicon(IV) and bis(tert.-butyldimethylsiloxy)silicon(IV) [(tBDMSO)2Si(IV)] have shown that it has experienced no obvious isotope fractionation during the synthesis of [(tBDMSO)2Si(IV)] porphyrin from aetio I. Here, aetio I
The Raman Spectrum of Hexachlorodisilane
Katayama M, et al.
J. Chem. Phys., 18(4), 506-509 (1950)
Chemical vapor deposition of silicon films using hexachlorodisilane
Taylor, R. C., Scott, B. A., Lin, S. T., LeGoues, F., & Tsang, J. C.
MRS Proceedings, 77, 709-709 (1986)

Nasz zespół naukowców ma doświadczenie we wszystkich obszarach badań, w tym w naukach przyrodniczych, materiałoznawstwie, syntezie chemicznej, chromatografii, analityce i wielu innych dziedzinach.

Skontaktuj się z zespołem ds. pomocy technicznej