Przejdź do zawartości
Merck

203351

Sigma-Aldrich

Germanium

powder, −100 mesh, ≥99.99% trace metals basis

Zaloguj sięWyświetlanie cen organizacyjnych i kontraktowych


About This Item

Wzór empiryczny (zapis Hilla):
Ge
Numer CAS:
Masa cząsteczkowa:
72.64
Numer WE:
Numer MDL:
Kod UNSPSC:
12141716
Identyfikator substancji w PubChem:
NACRES:
NA.23

Poziom jakości

Próba

≥99.99% trace metals basis

Formularz

powder

rezystywność

53 Ω-cm, 20°C

wielkość cząstki

−100 mesh

bp

2830 °C (lit.)

mp

937 °C (lit.)

gęstość

5.35 g/mL at 25 °C (lit.)

ciąg SMILES

[Ge]

InChI

1S/Ge

Klucz InChI

GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N

Szukasz podobnych produktów? Odwiedź Przewodnik dotyczący porównywania produktów

Hasło ostrzegawcze

Danger

Zwroty wskazujące rodzaj zagrożenia

Zwroty wskazujące środki ostrożności

Klasyfikacja zagrożeń

Aquatic Acute 1 - Aquatic Chronic 2 - Flam. Sol. 1 - Repr. 2 - STOT RE 2 Oral

Organy docelowe

Kidney

Kod klasy składowania

4.1B - Flammable solid hazardous materials

Klasa zagrożenia wodnego (WGK)

WGK 3

Temperatura zapłonu (°F)

Not applicable

Temperatura zapłonu (°C)

Not applicable

Środki ochrony indywidualnej

Eyeshields, Gloves, type P3 (EN 143) respirator cartridges


Wybierz jedną z najnowszych wersji:

Certyfikaty analizy (CoA)

Lot/Batch Number

Nie widzisz odpowiedniej wersji?

Jeśli potrzebujesz konkretnej wersji, możesz wyszukać konkretny certyfikat według numeru partii lub serii.

Masz już ten produkt?

Dokumenty związane z niedawno zakupionymi produktami zostały zamieszczone w Bibliotece dokumentów.

Odwiedź Bibliotekę dokumentów

Klienci oglądali również te produkty

Lu Dai et al.
Nanoscale, 5(3), 971-976 (2012-12-15)
The controllable fabrication of self-scrolling SiGe/Si/Cr helical nanoribbons on Si(111) substrates is investigated. The initial lateral etching profile of the Si(111) substrates shows a 2-fold rotational symmetry using 4% ammonia solution, which provides guidance for initial scrolling of one-end-fixed nanoribbons
W Streyer et al.
Optics express, 21(7), 9113-9122 (2013-04-11)
We demonstrate strong-to-perfect absorption across a wide range of mid-infrared wavelengths (5-12µm) using a two-layer system consisting of heavily-doped silicon and a thin high-index germanium dielectric layer. We demonstrate spectral control of the absorption resonance by varying the thickness of
Maurizio Mattesini et al.
Journal of physics. Condensed matter : an Institute of Physics journal, 25(3), 035601-035601 (2012-12-12)
The magnetic properties, electronic band structure and Fermi surfaces of the hexagonal Cr(2)GeC system have been studied by means of both generalized gradient approximation (GGA) and the +U corrected method (GGA + U). The effective U value has been computed within the
Jin Liu et al.
Dalton transactions (Cambridge, England : 2003), 42(14), 5092-5099 (2013-02-13)
In this study, Zn2GeO4 hollow spheres were successfully fabricated by a template-engaged approach using zinc hydroxide carbonate (Zn4CO3(OH)6·H2O, ZHC) spheres as the template. During the hydrothermal process, Zn(2+) dissolved from the surface of the ZHC spheres could rapidly react with
Michael Oehme et al.
Optics express, 21(2), 2206-2211 (2013-02-08)
In this paper we investigate the influence of n-type doping in Ge light emitting diodes on Si substrates on the room temperature emission spectrum. The layer structures are grown with a special low temperature molecular beam epitaxy process resulting in

Produkty

Technologies are an integral part of our lives and we rely on them for such things as communication, heating and cooling, transportation, and construction. Improvements to technologies have made what they do for us more precise, automated, efficient, and powerful.

In recent years, the price of tellurium, a key component in the bestperforming thermoelectric materials, has increased significantly, leading to the question, “Is it economically viable to produce thermoelectric generators on an industrial scale?

Nasz zespół naukowców ma doświadczenie we wszystkich obszarach badań, w tym w naukach przyrodniczych, materiałoznawstwie, syntezie chemicznej, chromatografii, analityce i wielu innych dziedzinach.

Skontaktuj się z zespołem ds. pomocy technicznej