コンテンツへスキップ
Merck
すべての画像(1)

Key Documents

View All Documentation

安全性情報

523771

Sigma-Aldrich

テトラメチルシラン

electronic grade, ≥99.99% trace metals basis

ログイン組織・契約価格を表示する
すべての画像(1)

About This Item

化学式:
Si(CH3)4
CAS番号:
75-76-3
分子量:
88.22
Beilstein:
1696908
EC Number:
200-899-1
MDL番号:
MFCD00008274
UNSPSCコード:
12352103
PubChem Substance ID:
24874369
NACRES:
NA.23

グレード

electronic grade

蒸気圧

11.66 psi ( 20 °C)

アッセイ

≥99.99% trace metals basis

形状

liquid

自己発火温度

842 °F

屈折率

n20/D 1.358 (lit.)

bp

26-28 °C (lit.)

mp

−99 °C (lit.)

密度

0.648 g/mL at 25 °C (lit.)

保管温度

2-8°C

SMILES記法

C[Si](C)(C)C

InChI

1S/C4H12Si/c1-5(2,3)4/h1-4H3

InChI Key

CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N

類似した製品をお探しですか？ 訪問 製品比較ガイド

詳細

Atomic number of base material: 14 Silicon

ピクトグラム

Flame
GHS02

シグナルワード

Danger

危険有害性情報

H224

注意書き

P210

危険有害性の分類

Flam. Liq. 1

保管分類コード

3 - Flammable liquids

WGK

WGK 3

引火点(°F)

-16.6 °F - closed cup

引火点(℃)

-27 °C - closed cup

個人用保護具 (PPE)

Eyeshields, Faceshields, Gloves

適用法令

試験研究用途を考慮した関連法令を主に挙げております。化学物質以外については、一部の情報のみ提供しています。 製品を安全かつ合法的に使用することは、使用者の義務です。最新情報により修正される場合があります。WEBの反映には時間を要することがあるため、適宜SDSをご参照ください。

消防法

第4類:引火性液体
特殊引火物
危険等級I

労働安全衛生法名称等を表示すべき危険物及び有害物

名称等を表示すべき危険物及び有害物

労働安全衛生法名称等を通知すべき危険物及び有害物

名称等を通知すべき危険物及び有害物

Jan Code

523771-100ML:
523771-BULK:
523771-VAR:

最新バージョンのいずれかを選択してください：

試験成績書（COA）

Lot/Batch Number
SHBJ5809
SHBH0010V
SHBF7771V
SHBD5584V
SHBC3586V

適切なバージョンが見つかりませんか。

特定のバージョンが必要な場合は、ロット番号またはバッチ番号で特定の証明書を検索できます。

COAを検索

以前この製品を購入いただいたことがある場合

文書ライブラリで、最近購入した製品の文書を検索できます。

文書ライブラリにアクセスする

この製品を見ている人はこちらもチェック

Slide 1 of 3

1 of 3

(3-アミノプロピル)トリエトキシシラン ≥98.0%

Sigma-Aldrich

741442

(3-アミノプロピル)トリエトキシシラン

(3-アミノプロピル)トリエトキシシラン 99%

Sigma-Aldrich

440140

(3-アミノプロピル)トリエトキシシラン

オルトケイ酸テトラエチル reagent grade, 98%

Sigma-Aldrich

131903

オルトケイ酸テトラエチル

Ramesh C Sharma et al.
Spectrochimica acta. Part A, Molecular and biomolecular spectroscopy, 65(3-4), 787-791 (2006-03-15)
The decomposition of trimethylsilane and tetramethylsilane has been investigated for the first time, using hot wire (catalytic) at various temperatures. Trimethylsilane is catalytic-dissociated in these species SiH(2), CH(3)SiH, CH(3), CH(2)Si. Time of flight mass spectroscopy signal of these species are
Roy E Hoffman
Journal of magnetic resonance (San Diego, Calif. : 1997), 163(2), 325-331 (2003-08-14)
The chemical shift of TMS is commonly assumed to be zero. However, it varies by over 1 ppm for 1H and 4 ppm for 13C and shows a correlation with the physical properties of the solvent. Using the commonly accepted
Maria T Proetto et al.
ChemMedChem, 9(6), 1176-1187 (2014-05-23)
A series of methoxy- and fluorine-substituted [salophene]platinum(II) complexes (salophene=N,N'-bis(salicylidene)-1,2-phenylenediamine) were synthesized and characterized by (1) H NMR spectroscopy and mass spectrometry. The structure was confirmed on the example of [5-OCH3 -salophene]platinum(II) (4-Pt) by crystal structure analysis. The cytotoxicity of all
Jose C Pichardo et al.
Journal of nuclear medicine : official publication, Society of Nuclear Medicine, 52(9), 1482-1489 (2011-07-30)
The current gold standard for measuring marrow cellularity is the bone marrow (BM) biopsy of the iliac crest. This measure is not predictive of total marrow cellularity, because the biopsy volume is typically small and fat fraction varies across the
August Andersson et al.
FEBS letters, 545(2-3), 139-143 (2003-06-14)
The interaction between the peptide hormone motilin and bicelles has been investigated by pulsed field gradient-nuclear magnetic resonance methods and by the use of paramagnetic probes. Diffusion coefficients were measured for motilin, the phospholipids with and without motilin, and for
関連する文献をすべて表示

資料

Silicon Nitride Atomic Layer Deposition: A Brief Review of Precursor Chemistry

atomic layer deposition (ALD), microelectronics, Mo:Al2O3 films, nanocomposite coating, photovoltaics, semiconductor devices, W:Al2O3 films, composite films, layer-by-layer

Silicon Nitride Atomic Layer Deposition: A Brief Review of Precursor Chemistry

atomic layer deposition (ALD), microelectronics, Mo:Al2O3 films, nanocomposite coating, photovoltaics, semiconductor devices, W:Al2O3 films, composite films, layer-by-layer

FePt Nanogranular films for high density heat-assisted magnetic recording

A hard disk drive (HDD) is a data storage device that stores digital information by magnetizing nanosized magnets on flat disks and retrieves data by sensing the resulting magnetic field.

High Purity Metalorganic Precursors for CPV Device Fabrication

High Purity Metalorganic Precursors for CPV Device Fabrication

すべて表示

ライフサイエンス、有機合成、材料科学、クロマトグラフィー、分析など、あらゆる分野の研究に経験のあるメンバーがおります。.

製品に関するお問い合わせはこちら（テクニカルサービス）