コンテンツへスキップ
Merck
すべての画像(2)

Key Documents

View All Documentation

安全性情報

688509

Sigma-Aldrich

四塩化ケイ素

packaged for use in deposition systems

別名:

STC, テトラクロロシラン

ログイン組織・契約価格を表示する
すべての画像(2)

About This Item

化学式:
SiCl4
CAS番号:
10026-04-7
分子量:
169.90
MDL番号:
MFCD00011229
UNSPSCコード:
12352103
PubChem Substance ID:
329761169
NACRES:
NA.23

蒸気密度

5.86 (vs air)

蒸気圧

420 mmHg ( 37.7 °C)

アッセイ

99.998% trace metals basis

形状

liquid

反応適合性

core: silicon

bp

57.6 °C (lit.)

mp

−70 °C (lit.)

密度

1.483 g/mL at 25 °C (lit.)

SMILES記法

Cl[Si](Cl)(Cl)Cl

InChI

1S/Cl4Si/c1-5(2,3)4

InChI Key

FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N

類似した製品をお探しですか？ 訪問 製品比較ガイド

詳細

Atomic number of base material: 14 Silicon

アプリケーション

Precursors Packaged for Depositions Systems

ピクトグラム

Skull and crossbonesCorrosion
GHS06,GHS05

シグナルワード

Danger

危険有害性情報

H301 + H331,H314,H335

危険有害性の分類

Acute Tox. 3 Inhalation - Acute Tox. 3 Oral - Eye Dam. 1 - Skin Corr. 1A - STOT SE 3

ターゲットの組織

Respiratory system

補足的ハザード

EUH014,EUH071

保管分類コード

6.1C - Combustible acute toxic Cat.3 / toxic compounds or compounds which causing chronic effects

WGK

WGK 1

引火点(°F)

Not applicable

引火点(℃)

Not applicable

個人用保護具 (PPE)

Faceshields, Gloves, Goggles

適用法令

試験研究用途を考慮した関連法令を主に挙げております。化学物質以外については、一部の情報のみ提供しています。 製品を安全かつ合法的に使用することは、使用者の義務です。最新情報により修正される場合があります。WEBの反映には時間を要することがあるため、適宜SDSをご参照ください。

労働安全衛生法名称等を表示すべき危険物及び有害物

名称等を表示すべき危険物及び有害物

労働安全衛生法名称等を通知すべき危険物及び有害物

名称等を通知すべき危険物及び有害物

Jan Code

688509-25ML:
688509-VAR:
688509-BULK:

最新バージョンのいずれかを選択してください：

試験成績書（COA）

Lot/Batch Number
SHBM7565
SHBK6266
SHBF7138V
06618LH

適切なバージョンが見つかりませんか。

特定のバージョンが必要な場合は、ロット番号またはバッチ番号で特定の証明書を検索できます。

COAを検索

以前この製品を購入いただいたことがある場合

文書ライブラリで、最近購入した製品の文書を検索できます。

文書ライブラリにアクセスする

この製品を見ている人はこちらもチェック

Slide 1 of 1

1 of 1

テトラキス(ジメチルアミド)チタン(IV) packaged for use in deposition systems

Sigma-Aldrich

669008

テトラキス(ジメチルアミド)チタン(IV)

J R Piascik et al.
Dental materials : official publication of the Academy of Dental Materials, 25(9), 1116-1121 (2009-04-21)
The overall goal of this research was to develop a practical method to chemically modify the surface of high strength dental ceramics (i.e. zirconia) to facilitate viable, robust adhesive bonding using commercially available silanes and resin cements. Investigation focused on
Sherif Zein El Abedin et al.
Accounts of chemical research, 40(11), 1106-1113 (2007-05-25)
Due to their wide thermal windows, ionic liquids can be regarded as the missing link between aqueous/organic solutions and high-temperature molten salts. They can be employed efficiently for the coating of other metals with thin layers of tantalum, aluminum, and
Roman A Sandler et al.
Journal of vision, 15(9), 16-16 (2015-08-01)
Receptive field identification is a vital problem in sensory neurophysiology and vision. Much research has been done in identifying the receptive fields of nonlinear neurons whose firing rate is determined by the nonlinear interactions of a small number of linear
C Schulze Isfort et al.
Toxicology letters, 186(3), 148-151 (2008-12-31)
Synthetic nanoscaled metal oxides are mainly produced by pyrogenic decomposition of precursors in the gas phase using a hot-wall or plasma reactor. Due to their low production rate and limited scalability, these processes are of minor technical relevance in manufacturing
Baker Jawabrah Al-Hourani et al.
Bioorganic & medicinal chemistry letters, 22(6), 2235-2238 (2012-02-22)
A series of novel 5-substituted 1H-tetrazoles as cyclooxygenase-2 (COX-2) inhibitors was prepared via treatment of various diaryl amides with tetrachlorosilane/sodium azide. All compounds were tested in cyclooxygenase (COX) assays in vitro to determine COX-1 and COX-2 inhibitory potency and selectivity.
関連する文献をすべて表示

資料

The Savannah ALD System - An Excellent Tool for Atomic Layer Deposition

igma-Aldrich.com presents an article regarding the savannah ALD system - an excellent tool for atomic layer deposition.

The Savannah ALD System - An Excellent Tool for Atomic Layer Deposition

igma-Aldrich.com presents an article regarding the savannah ALD system - an excellent tool for atomic layer deposition.

Silicon Nitride Atomic Layer Deposition: A Brief Review of Precursor Chemistry

atomic layer deposition (ALD), microelectronics, Mo:Al2O3 films, nanocomposite coating, photovoltaics, semiconductor devices, W:Al2O3 films, composite films, layer-by-layer

Silicon Nitride Atomic Layer Deposition: A Brief Review of Precursor Chemistry

atomic layer deposition (ALD), microelectronics, Mo:Al2O3 films, nanocomposite coating, photovoltaics, semiconductor devices, W:Al2O3 films, composite films, layer-by-layer

すべて表示

ライフサイエンス、有機合成、材料科学、クロマトグラフィー、分析など、あらゆる分野の研究に経験のあるメンバーがおります。.

製品に関するお問い合わせはこちら（テクニカルサービス）