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アッセイ
97%
形状
solid
組成
Dye content, 97%
mp
>300 °C (lit.)
λmax
528 nm
半導体特性
N-type (mobility=1.8x10−4 cm2/V·s)
SMILES記法
CC(C)(C)c1ccc(c(c1)N2C(=O)c3ccc4c5ccc6C(=O)N(C(=O)c7ccc(c8ccc(C2=O)c3c48)c5c67)c9cc(ccc9C(C)(C)C)C(C)(C)C)C(C)(C)C
InChI
1S/C52H50N2O4/c1-49(2,3)27-13-23-37(51(7,8)9)39(25-27)53-45(55)33-19-15-29-31-17-21-35-44-36(22-18-32(42(31)44)30-16-20-34(46(53)56)43(33)41(29)30)48(58)54(47(35)57)40-26-28(50(4,5)6)14-24-38(40)52(10,11)12/h13-26H,1-12H3
InChI Key
BIYPCKKQAHLMHG-UHFFFAOYSA-N
詳細
アプリケーション
シグナルワード
Warning
危険有害性情報
危険有害性の分類
Eye Irrit. 2 - Skin Irrit. 2 - STOT SE 3
ターゲットの組織
Respiratory system
保管分類コード
11 - Combustible Solids
WGK
WGK 3
引火点(°F)
Not applicable
引火点(℃)
Not applicable
個人用保護具 (PPE)
dust mask type N95 (US), Eyeshields, Gloves
適用法令
試験研究用途を考慮した関連法令を主に挙げております。化学物質以外については、一部の情報のみ提供しています。 製品を安全かつ合法的に使用することは、使用者の義務です。最新情報により修正される場合があります。WEBの反映には時間を要することがあるため、適宜SDSをご参照ください。
Jan Code
264229-100MG:
264229-VAR:
264229-BULK:
資料
Intrinsically stretchable active layers for organic field-effect transistors (OFET) are discussed. Polymer structural modification & post-polymerization modifications are 2 methods to achieve this.
Fabrication procedure of organic field effect transistor device using a soluble pentacene precursor.
Polymer Semiconductors for Intrinsically Stretchable Organic Transistors
ライフサイエンス、有機合成、材料科学、クロマトグラフィー、分析など、あらゆる分野の研究に経験のあるメンバーがおります。.
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