コンテンツへスキップ
Merck

203815

Sigma-Aldrich

酸化モリブデン(VI)

99.97% trace metals basis

別名:

三酸化モリブデン

ログイン組織・契約価格を表示する


About This Item

化学式:
MoO3
CAS番号:
分子量:
143.94
EC Number:
MDL番号:
UNSPSCコード:
12352303
eCl@ss:
38180807
PubChem Substance ID:
NACRES:
NA.23

品質水準

アッセイ

99.97% trace metals basis

形状

powder

mp

795 °C (lit.)

アプリケーション

battery manufacturing

SMILES記法

O=[Mo](=O)=O

InChI

1S/Mo.3O

InChI Key

JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N

類似した製品をお探しですか? 訪問 製品比較ガイド

詳細

三酸化モリブデンとしても知られる酸化モリブデン(VI)は、モリブデンと酸素の化合物で、近似化学式はMoO3です。通常、酸化モリブデン(VI)は白色または淡黄色の粉末ですが、高濃度の酸素空孔などの欠損があると、青や緑がかった色になることがあります。酸化モリブデン(VI)の融点は高く、2,620°Cです。化学的には、酸化モリブデン(VI)は強力な酸化剤で、反応性が高い官能基があります。結果的に、化学反応の触媒として、また他のモリブデン化合物の製造のための出発物質として使用されます。また、色素、ガラス、潤滑剤およびプラスチックに添加されます。

アプリケーション

注目すべき三元の還元モリブデンオキシド Pr4Mo9O18の固相合成に使用されています。その構造には、それまで知られていなかった Mo7、Mo13および Mo19クラスターが含まれます。新しいクラスター製品は、小さなバンドギャップ半導体です。
LAMOX高速イオン伝導体と超伝導体の前駆体です。
注目すべき三元還元酸化モリブデン、Pr4Mo9O18の固相合成に使用されます。その構造にはこれまで知られていなかったMo7、Mo13 、Mo19 クラスターが含まれています。この新しいクラスターを含む製品は、低バンドギャップ半導体です。

ピクトグラム

Health hazardExclamation mark

シグナルワード

Warning

危険有害性情報

危険有害性の分類

Carc. 2 - Eye Irrit. 2 - STOT SE 3

ターゲットの組織

Respiratory system

保管分類コード

11 - Combustible Solids

WGK

WGK 1

引火点(°F)

Not applicable

引火点(℃)

Not applicable

個人用保護具 (PPE)

dust mask type N95 (US), Eyeshields, Faceshields, Gloves


適用法令

試験研究用途を考慮した関連法令を主に挙げております。化学物質以外については、一部の情報のみ提供しています。 製品を安全かつ合法的に使用することは、使用者の義務です。最新情報により修正される場合があります。WEBの反映には時間を要することがあるため、適宜SDSをご参照ください。

PRTR

第一種指定化学物質

労働安全衛生法名称等を表示すべき危険物及び有害物

名称等を表示すべき危険物及び有害物

労働安全衛生法名称等を通知すべき危険物及び有害物

名称等を通知すべき危険物及び有害物

Jan Code

203815-BULK:
203815-VAR:
203815-25G:4548173930282
203815-5G:4548173930299


最新バージョンのいずれかを選択してください:

試験成績書(COA)

Lot/Batch Number

適切なバージョンが見つかりませんか。

特定のバージョンが必要な場合は、ロット番号またはバッチ番号で特定の証明書を検索できます。

以前この製品を購入いただいたことがある場合

文書ライブラリで、最近購入した製品の文書を検索できます。

文書ライブラリにアクセスする

この製品を見ている人はこちらもチェック

Patrick R Brown et al.
Nano letters, 11(7), 2955-2961 (2011-06-15)
The ability to engineer interfacial energy offsets in photovoltaic devices is one of the keys to their optimization. Here, we demonstrate that improvements in power conversion efficiency may be attained for ZnO/PbS heterojunction quantum dot photovoltaics through the incorporation of
Seiichiro Murase et al.
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.), 24(18), 2459-2462 (2012-04-11)
An MoO(3) film spin-coated from a solution prepared by an extremely facile and cost-effective synthetic method is introduced as an anode buffer layer of bulk-heterojunction polymer photovoltaic devices. The device efficiency using the MoO(3) anode buffer layer is comparable to
Design of transparent anodes for resonant cavity enhanced light harvesting in organic solar cells.
Nicholas P Sergeant et al.
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.), 24(6), 728-732 (2012-01-04)
Claudio Girotto et al.
ACS applied materials & interfaces, 3(9), 3244-3247 (2011-08-13)
We report on a sol-gel-based technique to fabricate MoO(3) thin films as a hole-injection layer for solution-processed or thermally evaporated organic solar cells. The solution-processed MoO(3) (sMoO(3)) films are demonstrated to have equal performance to hole-injection layers composed of either
Yu-Zhan Wang et al.
The Journal of chemical physics, 134(3), 034706-034706 (2011-01-26)
The electronic structures at the MoO(3)∕Co interface were investigated using synchrotron-based ultraviolet and x-ray photoelectron spectroscopy. It was found that interfacial chemical reactions lead to the reduction of Mo oxidation states and the formation of Co-O bonds. These interfacial chemical

資料

Nanostructured Materials Through Ultrasonic Spray Pyrolysis

Nanostructured Materials Through Ultrasonic Spray Pyrolysis

Nanostructured Materials Through Ultrasonic Spray Pyrolysis

Nanostructured Materials Through Ultrasonic Spray Pyrolysis

すべて表示

ライフサイエンス、有機合成、材料科学、クロマトグラフィー、分析など、あらゆる分野の研究に経験のあるメンバーがおります。.

製品に関するお問い合わせはこちら(テクニカルサービス)