901623
Buffered oxide etchant (BOE) 6:1 with surfactant
Sinonimo/i:
BHF, Buffered HF
Autenticatiper visualizzare i prezzi riservati alla tua organizzazione & contrattuali
About This Item
Codice UNSPSC:
12161700
NACRES:
NA.23
Prodotti consigliati
Stato
liquid
Descrizione generale
Buffered oxide etchant (BOE) is a wet etchant used in microfabrication. Its primary use is in etching thin films of silicon dioxide (SiO2) or silicon nitride (Si3N4). It is a mixture of a buffering agent, such as ammonium fluoride (NH4F), and hydrofluoric acid (HF). Concentrated HF etches silicon dioxide too quickly for good process control and also peels photoresist used in lithographic patterning.
Applicazioni
Buffered oxide etchant (BOE) 6:1 with surfactant may be used in the oxide removal of AlGaN/GaN-based high electron mobility transistors for gate photolithography. It may also be used in a buffer oxide etchant method for the fabrication of micro biochip.
Avvertenze
Danger
Indicazioni di pericolo
Classi di pericolo
Acute Tox. 1 Dermal - Acute Tox. 2 Inhalation - Acute Tox. 2 Oral - Eye Dam. 1 - Skin Corr. 1A
Codice della classe di stoccaggio
6.1B - Non-combustible acute toxic Cat. 1 and 2 / very toxic hazardous materials
Classe di pericolosità dell'acqua (WGK)
WGK 2
Punto d’infiammabilità (°F)
Not applicable
Punto d’infiammabilità (°C)
Not applicable
Scegli una delle versioni più recenti:
Certificati d'analisi (COA)
Lot/Batch Number
Non trovi la versione di tuo interesse?
Se hai bisogno di una versione specifica, puoi cercare il certificato tramite il numero di lotto.
Possiedi già questo prodotto?
I documenti relativi ai prodotti acquistati recentemente sono disponibili nell’Archivio dei documenti.
Fabrication of a new micro bio chip and flow cell cytometry system using Bio-MEMS technology
Byun I, et al.
Microelectronics Journal, 39(5), 717-722 (2008)
Surface cleaning and preparation in AlGaN/GaN-based HEMT processing as assessed by X-ray photoelectron spectroscopy
Gonzalez-Posada F, et al.
Applied Surface Science, 253(14), 6185-6190 (2007)
Effect of passivation on AlGaN/GaN HEMT device performance
2000 IEEE international symposium on compound semiconductors, 357-363 (2000)
Il team dei nostri ricercatori vanta grande esperienza in tutte le aree della ricerca quali Life Science, scienza dei materiali, sintesi chimica, cromatografia, discipline analitiche, ecc..
Contatta l'Assistenza Tecnica.