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750034

Sigma-Aldrich

Hexylphosphonic acid

95%

Sinonimo/i:

n-Hexylphosphonic acid

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About This Item

Formula empirica (notazione di Hill):
C6H15O3P
Numero CAS:
4721-24-8
Peso molecolare:
166.16
Numero MDL:
MFCD00013961
Codice UNSPSC:
12352300
ID PubChem:
329766041
NACRES:
NA.23

Livello qualitativo

100

Saggio

95%

Forma fisica

solid

Punto di fusione

97-103 °C

Stringa SMILE

CCCCCCP(O)(O)=O

InChI

1S/C6H15O3P/c1-2-3-4-5-6-10(7,8)9/h2-6H2,1H3,(H2,7,8,9)
GJWAEWLHSDGBGG-UHFFFAOYSA-N

Descrizione generale

Hexylphosphonic acid(HPA) is a phosphonic acid derivative that can be used as a capping agent and a surfactant.

Applicazioni

HPA may be used as a surfactant to disperse multi-walled carbon nanotubes(MWCNTs). It can be modify the surface of barium titanate(BaTiO3) which can be used in the development of 3D-printable dielectric paste.

Pittogrammi

Exclamation mark
GHS07

Avvertenze

Warning

Indicazioni di pericolo

H315,H319

Classi di pericolo

Eye Irrit. 2 - Skin Irrit. 2

Codice della classe di stoccaggio

11 - Combustible Solids

Classe di pericolosità dell'acqua (WGK)

WGK 3

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Lot/Batch Number
MKCN0176
MKCF6804
MKCD5636
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Viscoelastic properties of a 3D-Printable high-dielectric paste with surface-modified BaTiO3.
Park JY, et al.
Composites Science and Technology, 159(13), 225-231 (2018)
Towards new oligomesogenic phosphonic acids as stabilizers of nanoparticles colloids in nematic liquid crystals.
Prodanov MF, et al.
Synlett, 26(13), 1905-1910 (2015)
Aqueous dispersion of multiwall carbon nanotubes with phosphonic acid derivatives.
Oueiny C, et al.
Colloids and Surfaces. A, Physicochemical and Engineering Aspects, 493(13), 41-51 (2016)
Feng Li et al.
Journal of colloid and interface science, 549, 33-41 (2019-04-25)
The severe interface charge recombination caused by the large energy difference between perovskite material and carbon electrode significantly limits the further performance improvement of the all-inorganic perovskite solar cells (PSCs). We apply innovatively multilayer of quaternary Ag-In-Ga-S (AIGS) quantum dots
Adam Roberge et al.
The journal of physical chemistry letters, 8(17), 4055-4060 (2017-08-12)
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