Przejdź do zawartości
Merck
Wszystkie zdjęcia(1)

Key Documents

Inne dokumenty

266809

Sigma-Aldrich

Hafnium

turnings, crystal bar, 99.7% trace metals basis

Synonim(y):

Celtium, Hafnium element

Zaloguj sięWyświetlanie cen organizacyjnych i kontraktowych
Wszystkie zdjęcia(1)

About This Item

Wzór empiryczny (zapis Hilla):
Hf
Numer CAS:
7440-58-6
Masa cząsteczkowa:
178.49
Numer MDL:
MFCD00011032
Kod UNSPSC:
12141718
Identyfikator substancji w PubChem:
24856162
NACRES:
NA.23

Próba

99.7% trace metals basis

Postać

turnings, crystal bar

rezystywność

29.6 μΩ-cm, 0°C

tw

4602 °C (lit.)

mp

2227 °C (lit.)

gęstość

13.3 g/cm3 (lit.)

ciąg SMILES

[Hf]

InChI

1S/Hf

Klucz InChI

VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N

Szukasz podobnych produktów? Odwiedź Przewodnik dotyczący porównywania produktów

Powiązane kategorie

Kod klasy składowania

11 - Combustible Solids

Klasa zagrożenia wodnego (WGK)

WGK 1

Temperatura zapłonu (°F)

Not applicable

Temperatura zapłonu (°C)

Not applicable

Środki ochrony indywidualnej

Eyeshields, Gloves, type N95 (US)

Certyfikaty analizy (CoA)

Poszukaj Certyfikaty analizy (CoA), wpisując numer partii/serii produktów. Numery serii i partii można znaleźć na etykiecie produktu po słowach „seria” lub „partia”.

Masz już ten produkt?

Dokumenty związane z niedawno zakupionymi produktami zostały zamieszczone w Bibliotece dokumentów.

Odwiedź Bibliotekę dokumentów

Gerald Lucovsky et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 12(6), 4811-4819 (2012-08-22)
Performance and reliability in semiconductor devices are limited by electronically active defects, primarily O-atom and N-atom vacancies. Synchrotron X-ray spectroscopy results, interpreted in the context of two-electron multiplet theories, have been used to analyze conduction band edge, and O-vacancy defect
Xuelu Ma et al.
Physical chemistry chemical physics : PCCP, 15(3), 901-910 (2012-12-04)
In this paper, the reaction mechanisms of CO assisted N(2) cleavage and functionalization activated by a dinuclear hafnium complex are studied using a density function theory (DFT) method. Several key intermediates (Ia, Ib, Ic and Id) with axial/equatorial N=C=O coordination
John J Curley et al.
Dalton transactions (Cambridge, England : 2003), 41(1), 192-200 (2011-10-25)
Treatment of Cp*Ir N(t)Bu (1) with the appropriate metallocene equivalent is an effective route for the preparation of the heterobimetallic complexes Cp*Ir(μ-N(t)Bu)MCp(2) (2-M, M = Ti, Zr, Hf). The electronic structures of the isostructural series of compounds, 2-M, are described
Tingting Zhao et al.
Journal of the mechanical behavior of biomedical materials, 13, 174-184 (2012-08-21)
NiTi shape memory alloy was modified by Hf ion implantation to improve its wear resistance and surface integrity against deformation. The Auger electron spectroscopy and x-ray photoelectron spectroscopy results indicated that the oxide thickness of NiTi alloy was increased by
Nicholas M Fahrenkopf et al.
ACS applied materials & interfaces, 4(10), 5360-5368 (2012-09-06)
Immobilization of biomolecular probes to the sensing substrate is a critical step for biosensor fabrication. In this work we investigated the phosphate-dependent, oriented immobilization of DNA to hafnium dioxide surfaces for biosensing applications. Phosphate-dependent immobilization was confirmed on a wide
Wyświetl wszystkie powiązane dokumenty

Nasz zespół naukowców ma doświadczenie we wszystkich obszarach badań, w tym w naukach przyrodniczych, materiałoznawstwie, syntezie chemicznej, chromatografii, analityce i wielu innych dziedzinach.

Skontaktuj się z zespołem ds. pomocy technicznej