Przejdź do zawartości
Merck
Wszystkie zdjęcia(3)

Kluczowe dokumenty

Wyświetl całą dokumentację

264032

Sigma-Aldrich

Indium

powder, −100 mesh, 99.99% trace metals basis

Synonim(y):

Indium element

Zaloguj sięWyświetlanie cen organizacyjnych i kontraktowych
Wszystkie zdjęcia(3)

About This Item

Wzór empiryczny (zapis Hilla):
In
Numer CAS:
7440-74-6
Masa cząsteczkowa:
114.82
Numer WE:
231-180-0
Numer MDL:
MFCD00134048
Kod UNSPSC:
12141719
Identyfikator substancji w PubChem:
24855900
NACRES:
NA.23

ciśnienie pary

<0.01 mmHg ( 25 °C)

Próba

99.99% trace metals basis

Formularz

powder

rezystywność

8.37 μΩ-cm

wielkość cząstki

−100 mesh

mp

156.6 °C (lit.)

gęstość

7.3 g/mL at 25 °C (lit.)

ciąg SMILES

[In]

InChI

1S/In

Klucz InChI

APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N

Szukasz podobnych produktów? Odwiedź Przewodnik dotyczący porównywania produktów

Opis ogólny

Ind, rzadki i stabilny pierwiastek, wykazuje wyjątkowe właściwości, takie jak wysoka przewodność cieplna i elektryczna. Znajduje zastosowanie w różnych stopach, produkcji baterii i syntezie tlenku indowo-cynowego, niezbędnego do przezroczystych elektrod w wyświetlaczach LCD i ekranach dotykowych. Dodatkowo, ind jest wykorzystywany w produkcji ogniw słonecznych, diod LED i innych urządzeń optoelektronicznych.

Zastosowanie


  • Półprzewodniki zawierające ind: Omawia rolę indu w technologii półprzewodników, istotną zarówno dla środowiska akademickiego, jak i nauki o materiałach, koncentrując się na jego zastosowaniu w tlenku indowo-cynowym i innych związkach indu (Schwarz-Schampera, 2014).

  • Odzyskiwanie indu z wyświetlaczy ciekłokrystalicznych: W tym artykule przedstawiono metody odzyskiwania indu ze zużytej elektroniki, obszaru o dużym znaczeniu dla zrównoważonej chemii i materiałoznawstwa (Rocchetti et al., 2016).

  • Utlenianie i specjacja powierzchniowa indu i tlenków indu wystawionych na działanie utleniaczy atmosferycznych: Bada właściwości chemiczne i reakcje indu na różnych stopniach utlenienia, istotne dla chemii środowiska i materiałów (Detweiler et al., 2016).

Ta strona może zawierać tekst przetłumaczony maszynowo.

Piktogramy

FlameExclamation mark
GHS02,GHS07

Hasło ostrzegawcze

Danger

Zwroty wskazujące rodzaj zagrożenia

H228,H315,H319,H332,H335

Zwroty wskazujące środki ostrożności

P210 - P302 + P352 - P304 + P340 + P312 - P305 + P351 + P338

Klasyfikacja zagrożeń

Acute Tox. 4 Inhalation - Eye Irrit. 2 - Flam. Sol. 1 - Skin Irrit. 2 - STOT SE 3

Organy docelowe

Respiratory system

Kod klasy składowania

4.1B - Flammable solid hazardous materials

Klasa zagrożenia wodnego (WGK)

WGK 3

Środki ochrony indywidualnej

Eyeshields, Gloves, type P3 (EN 143) respirator cartridges

Wybierz jedną z najnowszych wersji:

Certyfikaty analizy (CoA)

Lot/Batch Number
MKCL1203
MKBW2768V
MKBS5966V
MKBQ7276V
MKBN3569V

Nie widzisz odpowiedniej wersji?

Jeśli potrzebujesz konkretnej wersji, możesz wyszukać konkretny certyfikat według numeru partii lub serii.

Wyszukaj dokument COA

Masz już ten produkt?

Dokumenty związane z niedawno zakupionymi produktami zostały zamieszczone w Bibliotece dokumentów.

Odwiedź Bibliotekę dokumentów

A facile synthesis of 7-amino-3-desacetoxycephalosporanic acid derivatives by indium-mediated reduction of 3-iodomethylcephems in aqueous media.
Chae H, et al.
Tetrahedron Letters, 41(20), 3899-3901 (2000)
Ching-Hwa Ho et al.
ACS applied materials & interfaces, 5(6), 2269-2277 (2013-03-05)
The surface formation oxide assists of visible to ultraviolet photoelectric conversion in α-In2Se3 hexagonal microplates has been explored. Hexagonal α-In2Se3 microplates with the sizes of 10s to 100s of micrometers were synthesized and prepared by the chemical vapor transport method
Juan Zhou et al.
Chemical communications (Cambridge, England), 49(22), 2237-2239 (2013-02-12)
A reduced graphene oxide (RGO)-ZnIn(2)S(4) nanosheet composite was successfully synthesized via an in situ controlled growth process. The as-obtained RGO-ZnIn(2)S(4) composite showed excellent visible light H(2) production activity in the absence of noble metal cocatalysts.
Annick Bay et al.
Optics express, 21 Suppl 1, A179-A189 (2013-02-15)
In this paper the design, fabrication and characterization of a bioinspired overlayer deposited on a GaN LED is described. The purpose of this overlayer is to improve light extraction into air from the diode's high refractive-index active material. The layer
Vahid A Akhavan et al.
ChemSusChem, 6(3), 481-486 (2013-02-13)
Thin-film photovoltaic devices (PVs) were prepared by selenization using oleylamine-capped Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) nanocrystals sintered at a high temperature (>500 °C) under Se vapor. The device performance varied significantly with [Ga]/[In+Ga] content in the nanocrystals. The highest power conversion efficiency (PCE) observed
Wyświetl wszystkie powiązane dokumenty

Produkty

Discovery and Single Crystal Growth of Lanthanide Intermetallics—Interplay of Synthesis and Physical Properties

Solid state and materials chemistry have made a tremendous impact and have experienced growth in recent years, particularly for rare earthcontaining materials.

Odkrycie i wzrost pojedynczych kryształów międzymetalicznych lantanowców - wzajemne oddziaływanie syntezy i właściwości fizycznych

Chemia ciała stałego i materiałów wywarła ogromny wpływ i odnotowała wzrost w ostatnich latach, szczególnie w przypadku materiałów zawierających pierwiastki ziem rzadkich.

Nasz zespół naukowców ma doświadczenie we wszystkich obszarach badań, w tym w naukach przyrodniczych, materiałoznawstwie, syntezie chemicznej, chromatografii, analityce i wielu innych dziedzinach.

Skontaktuj się z zespołem ds. pomocy technicznej