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Merck
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安全性情報

764639

Sigma-Aldrich

5,5′′′-Bis(tridecafluorohexyl)-2,2′:5′,2 ′′:5′′,2′′′-quaterthiophene

別名:

α,ω-Diperfluorohexyl-quarterthiophene, DFH-4T

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About This Item

実験式（ヒル表記法）:
C28H8F26S4
CAS番号:
446043-85-2
分子量:
966.58
MDL番号:
MFCD23098728
UNSPSCコード:
12352103
PubChem Substance ID:
329767133
NACRES:
NA.23

フォーム

solid

mp

205-210 °C

半導体特性

N-type (mobility≤0.64 cm2/V·s)

SMILES記法

FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)c1ccc(s1)-c2ccc(s2)-c3ccc(s3)-c4ccc(s4)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F

InChI

1S/C28H8F26S4/c29-17(30,19(33,34)21(37,38)23(41,42)25(45,46)27(49,50)51)15-7-5-13(57-15)11-3-1-9(55-11)10-2-4-12(56-10)14-6-8-16(58-14)18(31,32)20(35,36)22(39,40)24(43,44)26(47,48)28(52,53)54/h1-8H

InChI Key

UBMTYFFPSPVBSP-UHFFFAOYSA-N

詳細

5,5′′′-Bis(tridecafluorohexyl)-2,2′:5′,2′′:5′′,2′′′-quaterthiophene (DFH-4T) is a n-type semiconducting material. It is a quaterthiophene derivative that contains fluoroalkyl groups and can be used as an electron transporting layer. It can be used in organic electronics.

アプリケーション

This molecule has shown high mobilities (electron mobilities of up to 0.64 cm2/Vs) when used as an n-type semiconducting material in OFET devices.

保管分類コード

11 - Combustible Solids

WGK

WGK 3

引火点(°F)

Not applicable

引火点(℃)

Not applicable

適用法令

試験研究用途を考慮した関連法令を主に挙げております。化学物質以外については、一部の情報のみ提供しています。 製品を安全かつ合法的に使用することは、使用者の義務です。最新情報により修正される場合があります。WEBの反映には時間を要することがあるため、適宜SDSをご参照ください。

Jan Code

764639-250MG:
764639-VAR:
764639-BULK:
764639-1G:

最新バージョンのいずれかを選択してください：

試験成績書（COA）

Lot/Batch Number
MKBL5287

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A new method of using supercritical carbon dioxide as a green solvent for synthesis and purification of 5, 5?-bis (tridecafluorohexyl)-2, 2?: 5?, 2 ?: 5 ?, 2?-quaterthiophene, which is one of n-type organic semiconducting materials
Hirase R, et al.
Tetrahedron Letters, 59(5), 469-472 (2018)
Hakan Usta et al.
Accounts of chemical research, 44(7), 501-510 (2011-05-28)
Organic semiconductors have unique properties compared to traditional inorganic materials such as amorphous or crystalline silicon. Some important advantages include their adaptability to low-temperature processing on flexible substrates, low cost, amenability to high-speed fabrication, and tunable electronic properties. These features
Overlapping-Gate Organic Light-Emitting Transistors
Lee J, et al.
Advanced Electronic Materials, 5(1), 1800437-1800437 (2019)

資料

Polymer Semiconductors for Intrinsically Stretchable Organic Transistors

Intrinsically stretchable active layers for organic field-effect transistors (OFET) are discussed. Polymer structural modification & post-polymerization modifications are 2 methods to achieve this.

Polymer Semiconductors for Intrinsically Stretchable Organic Transistors

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Soluble Pentacene Precursors

Fabrication procedure of organic field effect transistor device using a soluble pentacene precursor.

Development of Small Molecule Donors for Solution-Processed Organic Solar Cells
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