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Merck
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安全性情報

237264

Sigma-Aldrich

Resolve-Al La

99%

別名:

La(tmhd)3, Tris(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato)lanthanum

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About This Item

化学式:
La(OCC(CH3)3CHCOC(CH3)3)3
CAS番号:
14319-13-2
分子量:
688.71
MDL番号:
MFCD00010466
UNSPSCコード:
12142201
PubChem Substance ID:
24854230
NACRES:
NA.21

アッセイ

99%

形状

powder or crystals

bp

370 °C (lit.)

mp

128-131 °C (lit.)

SMILES記法

CC(C)(C)C(=O)\C=C(/O[Yb](O\C(=C/C(=O)C(C)(C)C)C(C)(C)C)O\C(=C/C(=O)C(C)(C)C)C(C)(C)C)C(C)(C)C

InChI

1S/3C11H20O2.La/c3*1-10(2,3)8(12)7-9(13)11(4,5)6;/h3*7,12H,1-6H3;/q;;;+3/p-3/b3*8-7-;

InChI Key

IXHLTRHDDMSNAP-LWTKGLMZSA-K

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法的情報

保管分類コード

11 - Combustible Solids

WGK

WGK 3

引火点(°F)

Not applicable

引火点(℃)

Not applicable

個人用保護具 (PPE)

Eyeshields, Gloves, type N95 (US)

適用法令

試験研究用途を考慮した関連法令を主に挙げております。化学物質以外については、一部の情報のみ提供しています。 製品を安全かつ合法的に使用することは、使用者の義務です。最新情報により修正される場合があります。WEBの反映には時間を要することがあるため、適宜SDSをご参照ください。

Jan Code

237264-VAR:
237264-100MG:
237264-BULK:
237264-1G:

最新バージョンのいずれかを選択してください：

試験成績書（COA）

Lot/Batch Number
MKAA3317
09209EB
08516MZ
06830AB

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Structural and electrical properties of a La2O3 thin film as a gate dielectric.
Jun JH, et al.
The Journal of the Korean Physical Society, 11(6) (2002)
Study on the precursors for La2O3 thin films deposited on silicon substrate.
Jun J, et al.
Journal of Materials Science Letters, 21(23), 1847-1849 (2002)
MOCVD of lanthanum oxides from La (tmhd)3 and La (tmod)3 precursors: A thermal and kinetic investigation.
Bedoya C, et al.
Chem. Vap. Deposition, 12(1), 46-53 (2006)

ライフサイエンス、有機合成、材料科学、クロマトグラフィー、分析など、あらゆる分野の研究に経験のあるメンバーがおります。.

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