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Sigma-Aldrich

Tetrakis(dimethylamido)hafnium(IV)

≥99.99%

Sinonimo/i:

TDMAH, Tetrakis(dimethylamino)hafnium(IV)

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About This Item

Formula condensata:
[(CH3)2N]4Hf
Numero CAS:
Peso molecolare:
354.79
Numero MDL:
Codice UNSPSC:
12352103
ID PubChem:
NACRES:
NA.23

Livello qualitativo

Saggio

≥99.99%

Stato

low-melting solid

Impiego in reazioni chimiche

core: hafnium

Punto di fusione

26-29 °C (lit.)

Densità

1.098 g/mL at 25 °C

Stringa SMILE

CN(C)[Hf](N(C)C)(N(C)C)N(C)C

InChI

1S/4C2H6N.Hf/c4*1-3-2;/h4*1-2H3;/q4*-1;+4
ZYLGGWPMIDHSEZ-UHFFFAOYSA-N

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Descrizione generale

Tetrakis(dimethylamido)hafnium(IV) is an organometallic compound consisting of a central hafnium atom (Hf) surrounded by four dimethylamido ligands (NMe2). It is commonly used as a CVD/ALD precursor to produce high-quality Hf thin films. It is a solid with low melting point.

Applicazioni

Tetrakis(dimethylamido)hafnium(IV) can be used:
  • As an atomic layer deposition(ALD) precursor for deposition of hafnium oxide thin films for advanced semiconductor devices.
  • As a precursor to fabricate polymer-derived ceramic nanocomposites.
  • To prepare HfO2, CeO2, and Ce-doped HfO2 thin films on Ge substrates by using tris(isopropyl-cyclopentadienyl)cerium [Ce(iPrCp)3] precursors with H2O via ALD method.
  • To produce Hf3N4 thin films with TDMAH and ammonia at low substrate temperatures at 150−250 °C.

Risultati analitici

Purity excludes ~2000 ppm Zr.

Accessorio

N° Catalogo
Descrizione
Determinazione del prezzo

Pittogrammi

FlameCorrosion

Avvertenze

Danger

Indicazioni di pericolo

Classi di pericolo

Flam. Sol. 1 - Skin Corr. 1B - Water-react 2

Rischi supp

Codice della classe di stoccaggio

4.3 - Hazardous materials which set free flammable gases upon contact with water

Classe di pericolosità dell'acqua (WGK)

WGK 3

Dispositivi di protezione individuale

Eyeshields, Faceshields, Gloves, type P3 (EN 143) respirator cartridges


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