HF101D
Hall Device Chip
HF101D
About This Item
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Materiali
gold/chromium electrode (Au/Cr)
Descrizione
die layer thickness 300 nm SiO2
die layer thickness 36 nm boron nitride
electrode layer thickness 60 nm gold
Caratteristiche
BN/SiO2 coating
optimized for hall
Confezionamento
pkg of 16 diced devices
Produttore/marchio commerciale
HF101D
die thickness
525 μm , silicon
Dimens. elettrodo
10 nm , chrome
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