920959
Graphene, monolayer film
on Si/SiO2 wafer, diam. 100 mm (4 in.)
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product name
Monolayer Graphene on Si/SiO2 wafer, diam. 100 mm (4 in.)
descrição
Graphene Coverage: 100% with sporadic adlayers
Metal Impurities: 1.00e10 – 5.00e10 (at/cm) substrate
Monolayer Graphene Transparency: >97%
Raman D/G ratio: Indistinguishable to 0.03
Substrate Type/Doping: P/B
430 Ω/sq ±50 Ω/sq
Nível de qualidade
resistividade
1-10 Ω-cm
Diâmetro
100 mm (4 in.)
tamanho do grão
>40 μm
propriedades semicondutoras
(mobility>2700 cm2/V·s) (FET mobility)
InChI
1S/C
chave InChI
OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N
Descrição geral
Aplicação
Armazenamento e estabilidade
Outras notas
Código de classe de armazenamento
13 - Non Combustible Solids
Classe de risco de água (WGK)
WGK 3
Ponto de fulgor (°F)
Not applicable
Ponto de fulgor (°C)
Not applicable
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