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Sigma-Aldrich

2,7-Diphenyl[1]benzothieno[3,2-b][1]benzothiophene

sublimed grade, 99%

Sinônimo(s):

2,7-Diphenylbenzo[b]benzo[4,5]thieno[2,3-d]thiophene, DPh-BTBT

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About This Item

Fórmula empírica (Notação de Hill):
C26H16S2
Peso molecular:
392.54
Código UNSPSC:
12352103
ID de substância PubChem:
NACRES:
NA.23

grau

sublimed grade

Ensaio

99%

forma

powder or crystals

pf

363-368 °C

propriedades semicondutoras

P-type (mobility=2 cm2/V·s)

cadeia de caracteres SMILES

c1ccc(cc1)-c2ccc3c(c2)sc4c5ccc(cc5sc34)-c6ccccc6

InChI

1S/C26H16S2/c1-3-7-17(8-4-1)19-11-13-21-23(15-19)27-26-22-14-12-20(16-24(22)28-25(21)26)18-9-5-2-6-10-18/h1-16H

chave InChI

SBJIDUSVEICMRY-UHFFFAOYSA-N

Aplicação

2,7-Diphenyl[1]benzothieno(3,2-b)[1]benzothiophene is an organic semiconductor material with high charge mobility. It finds application in the fabrication of organic thin film transistors (OFETs), photovoltaic cells and organic light emitting diodes (OLEDs).
Organic Field Effect Transistor (OFET) Materials; p-Type Organic Semiconductors; p-Type Small Molecules; sublimed grade materials

Informações legais

Product of Nippon Kayaku

Pictogramas

Exclamation mark

Palavra indicadora

Warning

Frases de perigo

Classificações de perigo

Acute Tox. 4 Oral - Eye Irrit. 2

Código de classe de armazenamento

11 - Combustible Solids

Classe de risco de água (WGK)

WGK 3

Ponto de fulgor (°F)

247.1 °F

Ponto de fulgor (°C)

119.5 °C


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Kazuo Takimiya et al.
Journal of the American Chemical Society, 128(39), 12604-12605 (2006-09-28)
Vapor-deposited thin films of a newly developed sulfur-containing heteroarene, 2,7-diphenyl[1]benzothieno[3,2-b][1]benzothiophene (DPh-BTBT), were used as an active layer of OFETs, which showed excellent FET characteristics in ambient conditions with mobilities of approximately 2.0 cm2 V-1 s-1 and Ion/Ioff of 107.
Takimiya, Kazuo; et al.
Science and Technology of Advanced Materials, 8, 273-276 (2007)
Alkylated Dinaphtho (2, 3-b: 2′ , 3′ -f) Thieno (3, 2-b) Thiophenes (Cn-DNTTs): Organic Semiconductors for High-Performance Thin-Film Transistors.
Kang MJ, et al.
Advanced Materials, 23(10), 1222-1225 (2011)

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