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Sigma-Aldrich

Poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl)

regioregular, electronic grade, 99.995% trace metals basis, average Mn 15,000-45,000

Sinônimo(s):

Plexcore® OS 1100, P3HT

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About This Item

Fórmula linear:
(C10H14S)n
Número CAS:
104934-50-1
Número MDL:
MFCD00217686
Código UNSPSC:
12352103

grau

electronic grade

Ensaio

99.995% trace metals basis

forma

solid

peso molecular

average Mn 15,000-45,000

descrição

(>95% head-to-tail regioregular (HNMR))

pf

238 °C

solubilidade

chloroform, trichlorobenzene, chlorobenzene, toluene, and xylenes: soluble

fluorescência

λex 450 nm; λem 575 nm

Energia orbital

HOMO 5 eV 
LUMO 3 eV 

Desempenho do dispositivo OPV

ITO/NiO/P3HT/PC61BM/LiF/Al

  • Short-circuit current density (Jsc): 11.3 mA/cm2
  • Open-circuit voltage (Voc): 0.64 V
  • Fill Factor (FF): 0.69
  • Power Conversion Efficiency (PCE): 5.16 %

ITO/PEDOT:PSS/P3HT:PC61BM (1:08)/Al
  • Short-circuit current density (Jsc): 9.5 mA/cm2
  • Open-circuit voltage (Voc): 0.63 V
  • Fill Factor (FF): 0.68
  • Power Conversion Efficiency (PCE): 5 %

PDI

≤2

propriedades semicondutoras

P-type (mobility=10−4 - 10−1 cm2/V·s)

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Descrição geral

HOMO level 5.1 eV
Poly(3-hexylthiophene) (P3HT) is a regioregular semiconducting polymer. It is used in organic electronics primarily because of its regular end-to-end arrangement of side chain, which allows efficient Π-Π stacking of the conjugated backbones. On account of the alkyl side group, P3HT is rendered hydrophobic in neutral state.

Aplicação

Polmer-based Materials for Printed Electronics: Enabling High Efficency Solar Power and Lighting
High purity P3HT for organic electronics research. Material optimized for use in active layers of OFETs and other devices. Poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) may be used extensively as a semiconducting layer in organic thin film field effect transistor (FETs) and solar cells.,2

Informações legais

Product of Plextronics, Inc. U.S. Patent 6,166,172.
Plexcore is a registered trademark of Plextronics, Inc.

Pictogramas

Exclamation mark
GHS07

Palavra indicadora

Warning

Frases de perigo

H315,H319,H335

Classificações de perigo

Eye Irrit. 2 - Skin Irrit. 2 - STOT SE 3

Órgãos-alvo

Respiratory system

Código de classe de armazenamento

11 - Combustible Solids

Classe de risco de água (WGK)

WGK 3

Ponto de fulgor (°F)

Not applicable

Ponto de fulgor (°C)

Not applicable

Equipamento de proteção individual

dust mask type N95 (US), Eyeshields, Gloves

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"Control of active semiconducting layer packing in organic thin film transistors through synthetic tailoring of dielectric materials
Singh R, et al.
Royal Society of Chemistry Advances, 4(56), 29383-29392 (2014)
High sensitivity organic photodiodes with low dark currents and increased lifetimes
Ramuz, M.; Burgi, L.; Winnewisser, C.; et al.
Organic Electronics, 9, 369-376 (2008)
p-Type semiconducting nickel oxide as an efficiency-enhancing anode interfacial layer in polymer bulk-heterojunction solar cells
Irwin, M. D.; et al.
Proceedings of the National Academy of Sciences of the USA, 105, 2783-2787 (2008)
Flexible Transistors Exploiting P3HT on Paper Substrate and Graphene Oxide Film as Gate Dielectric: Proof of Concept.
Valentini L, et al.
Science of Advanced Materials, 5(5), 530-533 (2013)
Thermally Stable, Efficient Polymer Solar Cells with Nanoscale Control of the Interpenetrating Network Morphology
Ma, W.; et al.
Advances in Functional Materials, 15, 1617-1622 (2005)
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