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Tetrakis(dimethylamido)hafnium(IV)
≥99.99%
Synonyme(s) :
TDMAH, Tetrakis(dimethylamino)hafnium(IV)
About This Item
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Niveau de qualité
Pureté
≥99.99%
Forme
low-melting solid
Pertinence de la réaction
core: hafnium
Pf
26-29 °C (lit.)
Densité
1.098 g/mL at 25 °C
Chaîne SMILES
CN(C)[Hf](N(C)C)(N(C)C)N(C)C
InChI
1S/4C2H6N.Hf/c4*1-3-2;/h4*1-2H3;/q4*-1;+4
Clé InChI
ZYLGGWPMIDHSEZ-UHFFFAOYSA-N
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Description générale
Application
- As an atomic layer deposition(ALD) precursor for deposition of hafnium oxide thin films for advanced semiconductor devices.
- As a precursor to fabricate polymer-derived ceramic nanocomposites.
- To prepare HfO2, CeO2, and Ce-doped HfO2 thin films on Ge substrates by using tris(isopropyl-cyclopentadienyl)cerium [Ce(iPrCp)3] precursors with H2O via ALD method.
- To produce Hf3N4 thin films with TDMAH and ammonia at low substrate temperatures at 150−250 °C.
Remarque sur l'analyse
À utiliser avec
Mention d'avertissement
Danger
Mentions de danger
Conseils de prudence
Classification des risques
Flam. Sol. 1 - Skin Corr. 1B - Water-react 2
Risques supp
Code de la classe de stockage
4.3 - Hazardous materials which set free flammable gases upon contact with water
Classe de danger pour l'eau (WGK)
WGK 3
Équipement de protection individuelle
Eyeshields, Faceshields, Gloves, type P3 (EN 143) respirator cartridges
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