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四(乙基甲基胺基)铪(IV)

≥99.99% trace metals basis

• 同義詞: TEMAH, 四(乙基甲基氨基)铪(IV)
• 線性公式: [(CH₃)(C₂H₅)N]₄Hf
• CAS號碼: 352535-01-4
• 分子量：: 410.90
• MDL號碼: MFCD03427130
• 分類程式碼代碼: 12352103
• PubChem物質ID: 24879306
• NACRES: NA.23

屬性

• 化驗: ≥99.99% trace metals basis
• 形狀: liquid
• 反應適用性: core: hafnium
• 雜質: Purity excludes ~2000 ppm Zirconium
• bp: 78 °C/0.01 mmHg (lit.)
• mp: <-50 °C
• 密度: 1.324 g/mL at 25 °C (lit.)
• SMILES 字串: CCN(C)[Hf](N(C)CC)(N(C)CC)N(C)CC
• InChI: 1S/4C3H8N.Hf/c4*1-3-4-2;/h4*3H2,1-2H3;/q4*-1;+4
• InChI 密鑰: NPEOKFBCHNGLJD-UHFFFAOYSA-N

描述

一般說明

四双（乙基甲基氨）铪（IV）（TEMAH）是一种对水和空气敏感的无色液体。它在 -50 °C 结冰，在 0.1 托下，在 78 °C左右沸腾。

應用

TEMAH 被用作氧化铪（HfO₂）薄膜的原子层沉积（ALD）的前体。因为 HfO₂ 具有 16-25 的高介电常数，所以它通常用作半导体制造中的介电膜。

TEMAH 由于其低沸点以及与水和臭氧的反应性，是 ALD 的理想选择。最重要的是，它在包括玻璃、氧化铟锡（ITO）和硅（100）在内的许多基板上的吸附是自限制的。研究人员还用它在 MoS₂等二维材料上沉积 HfO₂薄膜。


TEMAH 也是在MoS₂光电晶体管上合成铁电铪-氧化锆和Hf₁-xZrxO₂薄膜的有用前体。研究人员还通过 ALD 交替脉冲 TEMAH 和氨沉积了氮化铪（Hf₃N₄）薄膜。

特點和優勢

• 热稳定性。
• 它具有足够的挥发性，适合用于气相沉积。
• 完全自我限制的表面反应。

安全資訊

• 象形圖: GHS02,GHS05,GHS07
• 訊號詞: Danger
• 危險聲明: H225,H260,H302,H314,H335
• 防範說明: P210 - P231 + P232 - P280 - P301 + P312 - P303 + P361 + P353 - P305 + P351 + P338
• 危險分類: Acute Tox. 4 Oral - Eye Dam. 1 - Flam. Liq. 2 - Skin Corr. 1B - STOT SE 3 - Water-react 1
• 標靶器官: Respiratory system
• 安全危害: EUH014
• 儲存類別代碼: 4.3 - Hazardous materials which set free flammable gases upon contact with water
• 水污染物質分類（WGK）: WGK 3
• 閃點（°F）: 51.8 °F - closed cup
• 閃點（°C）: 11 °C - closed cup
• 個人防護裝備: Eyeshields, Faceshields, Gloves, type ABEK (EN14387) respirator filter