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文件

445541

Sigma-Aldrich

叔丁醇铪

99.99% trace metals basis (purity excludes ~2000 ppm zirconium.)

同義詞:

Hafnium tetrakis(tert -butoxide), Hafnium(IV) tert -butoxide, Tetra-tert -butoxyhafnium

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About This Item

線性公式:
Hf[OC(CH3)3]4
CAS號碼:
分子量::
470.94
MDL號碼:
分類程式碼代碼:
12352103
PubChem物質ID:
NACRES:
NA.23

化驗

99.99% trace metals basis (purity excludes ~2000 ppm zirconium.)

形狀

liquid

反應適用性

core: hafnium

折射率

n20/D 1.424 (lit.)

bp

90 °C/5 mmHg (lit.)

密度

1.166 g/mL at 25 °C (lit.)

SMILES 字串

CC(C)(C)O[Hf](OC(C)(C)C)(OC(C)(C)C)OC(C)(C)C

InChI

1S/4C4H9O.Hf/c4*1-4(2,3)5;/h4*1-3H3;/q4*-1;+4

InChI 密鑰

WZVIPWQGBBCHJP-UHFFFAOYSA-N

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一般說明

Atomic number of base material: 72 Hafnium

象形圖

FlameExclamation mark

訊號詞

Warning

危險分類

Eye Irrit. 2 - Flam. Liq. 3 - Skin Irrit. 2 - STOT SE 3

標靶器官

Respiratory system

儲存類別代碼

3 - Flammable liquids

水污染物質分類(WGK)

WGK 3

閃點(°F)

82.4 °F - closed cup

閃點(°C)

28 °C - closed cup

個人防護裝備

Eyeshields, Faceshields, Gloves, type ABEK (EN14387) respirator filter


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Sean W Depner et al.
ACS nano, 8(5), 4678-4688 (2014-04-23)
We demonstrate that the degree of branching of the alkyl (R) chain in a Hf(OR)4 precursor allows for control over the length of HfO2 nanocrystals grown by homocondensation of the metal alkoxide with a metal halide. An extended nonhydrolytic sol-gel

文章

High Purity Metalorganic Precursors for CPV Device Fabrication

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