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PDPP2T-TT-OD

• 别名: Xerox XSC4p, 二酮吡咯并吡咯-噻吩并噻吩共聚物, 二酮吡咯并吡咯p型半导体
• 线性分子式: (C₆₀H₉₀N₂O₂S₄)_n
• CAS号: 1444870-74-9
• 分類程式碼代碼: 12352103
• NACRES: NA.23

属性

• 形狀: solid
• 分子量: average M_w 40,000-60,000 by GPC
• 顏色: dark blue
• mp: >200 °C
• λmax: 820 nm (thin film)
• 軌道能量: HOMO 5.2 eV
• OFET器件效能: Bottom gate top contact device with silane modified SiO₂ dielectric.Processing method spin coating; thermal annealing at 140 °C/ 10 min;
  • Semiconductor Type:
  • Mobility: 0.60 cm²/V·s
  • On/Off Ratio: 10^6 - 10^7
• 蛋白質二硫鍵異構酶: 2.5‑3.0

说明

一般說明

PDPP2T-TT-OD是基于噻吩的导电聚合物，其中二酮吡咯并吡咯（DPP）为电子缺陷基团，辛基十二烷基为侧基。其结构含有一个DPP-噻吩和一个可变的联噻吩（2T）。它具有高电荷携带能力，使其可用于开发基于有机电子的设备。

應用

PDPP2T-TT-OD可以用作 π-共轭聚合物，可用于制造各种器件，例如有机薄膜晶体管（OTFT）、光伏电池、聚合物太阳能电池和场效应晶体管（FET）。

Xerox在含有100-300 nm天然SiO₂介电质的n-掺杂硅晶片上展示出器件
该介质被十八烷基三氯硅烷自组装单层改性。XSC4p膜通过旋涂（1000 rpm，60秒）0.5–0.7 wt.％的聚合物溶液进行沉积。将薄膜在真空烘箱中于80°C干燥10分钟，
然后在140°C加热退火10分钟。使用荫罩（90微米通道）通过真空蒸发对金源漏极进行沉积。
使用Keithley SCS-4200系统对电气性能进行了表征。所报告的迁移率是四个设备ε的平均饱和迁移率±
标准差

法律資訊

Xerox产品^®。Xerox^® 是Xerox公司的注册商标。

Xerox is a registered trademark of Xerox Corporation

安全信息

• 象形圖: GHS07
• 訊號詞: Warning
• 危險聲明: H315,H319,H335
• 防範說明: P261 - P264 - P271 - P280 - P302 + P352 - P305 + P351 + P338
• 危險分類: Eye Irrit. 2 - Skin Irrit. 2 - STOT SE 3
• 標靶器官: Respiratory system
• 儲存類別代碼: 11 - Combustible Solids
• 水污染物質分類（WGK）: WGK 3
• 閃點（°F）: Not applicable
• 閃點（°C）: Not applicable