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Sigma-Aldrich

Poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl)

regioregular, average Mn 54,000-75,000, electronic grade, 99.995% trace metals basis

동의어(들):

Plexcore® OS 2100, P3HT

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About This Item

Linear Formula:
(C10H14S)n
CAS Number:
MDL number:
UNSPSC 코드:
12352103

Grade

electronic grade

분석

99.995% trace metals basis

양식

solid

분자량

average Mn 54,000-75,000

설명

(>98% head-to-tail regioregular (HNMR))

mp

238 °C

오비탈 에너지

HOMO 5 eV 
LUMO 3 eV 

OPV 기기 성능

ITO/NiO/P3HT/PC61BM/LiF/Al

  • Short-circuit current density (Jsc): 11.3 mA/cm2
  • Open-circuit voltage (Voc): 0.64 V
  • Fill Factor (FF): 0.69
  • Power Conversion Efficiency (PCE): 5.16 %

ITO/PEDOT:PSS/P3HT:PC61BM (1:08)/Al
  • Short-circuit current density (Jsc): 9.5 mA/cm2
  • Open-circuit voltage (Voc): 0.63 V
  • Fill Factor (FF): 0.68
  • Power Conversion Efficiency (PCE): 5 %

Mw/Mn

≤2.5

반도체 특성

P-type (mobility=10−4 - 10−1 cm2/V·s)

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일반 설명

LUMO level 3.1 eV
Poly(3-hexylthiophene) (P3HT) is a regioregular semiconducting polymer. It is used in organic electronics primarily because of its regular end-to-end arrangement of side chain, which allows efficient Π-Π stacking of the conjugated backbones. On account of the alkyl side group, P3HT is rendered hydrophobic in neutral state.

애플리케이션

High molecular weight; ultra-high purity P3HT optimized for use in organic photovoltaics (OPV) research and devices. Poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) may be used extensively as a semiconducting layer in organic thin film field effect transistor (FETs) and solar cells.,2

법적 정보

Product of Plextronics, Inc. U.S. Patent 6,166,172.
Plexcore is a registered trademark of Plextronics, Inc.

호환 제품

픽토그램

Exclamation mark

신호어

Warning

유해 및 위험 성명서

Hazard Classifications

Eye Irrit. 2 - Skin Irrit. 2 - STOT SE 3

표적 기관

Respiratory system

Storage Class Code

11 - Combustible Solids

WGK

WGK 3

Flash Point (°F)

Not applicable

Flash Point (°C)

Not applicable

개인 보호 장비

dust mask type N95 (US), Eyeshields, Gloves


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"Control of active semiconducting layer packing in organic thin film transistors through synthetic tailoring of dielectric materials
Singh R, et al.
Royal Society of Chemistry Advances, 4(56), 29383-29392 (2014)
High sensitivity organic photodiodes with low dark currents and increased lifetimes
Ramuz, M.; Burgi, L.; Winnewisser, C.; et al.
Organic Electronics, 9, 369-376 (2008)
p-Type semiconducting nickel oxide as an efficiency-enhancing anode interfacial layer in polymer bulk-heterojunction solar cells
Irwin, M. D.; et al.
Proceedings of the National Academy of Sciences of the USA, 105, 2783-2787 (2008)
Flexible Transistors Exploiting P3HT on Paper Substrate and Graphene Oxide Film as Gate Dielectric: Proof of Concept.
Valentini L, et al.
Science of Advanced Materials, 5(5), 530-533 (2013)
Thermally Stable, Efficient Polymer Solar Cells with Nanoscale Control of the Interpenetrating Network Morphology
Ma, W.; et al.
Advances in Functional Materials, 15, 1617-1622 (2005)

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