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666610

Sigma-Aldrich

Tetrakis(dimethylamido)hafnium(IV)

packaged for use in deposition systems

동의어(들):

TDMAH, Tetrakis(dimethylamino)hafnium(IV)

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About This Item

Linear Formula:
[(CH3)2N]4Hf
CAS Number:
Molecular Weight:
354.79
MDL number:
UNSPSC 코드:
12352103
PubChem Substance ID:
NACRES:
NA.23

분석

≥99.99% (trace metals analysis)

형태

low-melting solid

반응 적합성

core: hafnium

mp

26-29 °C (lit.)

density

1.098 g/mL at 25 °C

SMILES string

CN(C)[Hf](N(C)C)(N(C)C)N(C)C

InChI

1S/4C2H6N.Hf/c4*1-3-2;/h4*1-2H3;/q4*-1;+4

InChI key

ZYLGGWPMIDHSEZ-UHFFFAOYSA-N

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일반 설명

Alkyl amides of Hafnium provide a convenient and effective atomic layer deposition precursor to smooth and and amorphous hafnium oxide thin films.

애플리케이션

Used as precursor for atomic layer deposition of Hafnium Oxide nanolaminates, which are used as a reploacement for Silicon oxide in semiconductor devices.

픽토그램

FlameCorrosion

신호어

Danger

유해 및 위험 성명서

Hazard Classifications

Flam. Sol. 1 - Skin Corr. 1B - Water-react 2

보충제 위험성

Storage Class Code

4.3 - Hazardous materials which set free flammable gases upon contact with water

WGK

WGK 3

Flash Point (°F)

109.4 °F - closed cup

Flash Point (°C)

43 °C - closed cup

개인 보호 장비

Eyeshields, Faceshields, Gloves, type P3 (EN 143) respirator cartridges


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문서 라이브러리 방문

High Purity Metalorganic Precursors for CPV Device Fabrication
Rushworth S
Material Matters, 5(4) null
Surface morphology and crystallinity control in the atomic layer deposition (ALD) of hafnium and zirconium oxide thin films
Hausmann DM, Gordon RG
Journal of Crystal Growth, 249, 251-261 (2003)
Applied Physics Letters, 91, 193503-193503 (2007)
The Savannah ALD System - An Excellent Tool for Atomic Layer Deposition
Monsma D, Becker J
Material Matters, 1(3), 5-5 (2006)

문서

igma-Aldrich.com presents an article regarding the savannah ALD system - an excellent tool for atomic layer deposition.

Nanocomposite Coatings with Tunable Properties Prepared by Atomic Layer Deposition

High Purity Metalorganic Precursors for CPV Device Fabrication

The properties of many devices are limited by the intrinsic properties of the materials that compose them.

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