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Merck

759562

Sigma-Aldrich

トリス(ジメチルアミノ)シラン

packaged for use in deposition systems

別名:

トリス(ジメチルアミノ)シラン, (Me2N)3SiH, N,N,N′,N′,N′′, N′′-ヘキサメチルシラントリアミン, トリス(ジメチルアミド)シラン, N,N,N′,N′,N′′, N′′-ヘキサメチルシラントリアミン, TDMAS

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About This Item

化学式:
((CH3)2N)3SiH
CAS番号:
分子量:
161.32
EC Number:
MDL番号:
UNSPSCコード:
12352300
PubChem Substance ID:
NACRES:
NA.23

品質水準

アッセイ

≥99.9% (GC)

形状

liquid

bp

142 °C (lit.)

mp

−90 °C (lit.)

密度

0.838 g/mL at 25 °C (lit.)

SMILES記法

CN(C)[SiH](N(C)C)N(C)C

InChI

1S/C6H19N3Si/c1-7(2)10(8(3)4)9(5)6/h10H,1-6H3

InChI Key

TWVSWDVJBJKDAA-UHFFFAOYSA-N

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アプリケーション

トリス(ジメチルアミノ)シラン(TDMAS)は、酸窒化Si;炭窒化物;窒化および酸化薄膜の蒸着のための有機ケイ素化合物源として使用されます。薄膜を含む多成分シリコンを形成するためにも使用されます。蒸着は低温の基板で行うことができます(<150)。TDMASの溶解点および蒸気圧は、適切な作動範囲にあります;従って、非常に良好な蒸着前駆体になります。

ピクトグラム

FlameCorrosionSkull and crossbones

シグナルワード

Danger

危険有害性の分類

Acute Tox. 1 Inhalation - Acute Tox. 3 Dermal - Acute Tox. 4 Oral - Eye Dam. 1 - Flam. Liq. 2 - Skin Corr. 1B - Water-react 2

補足的ハザード

保管分類コード

4.3 - Hazardous materials, which set free flammable gases upon contact with water

WGK

WGK 3

引火点(°F)

16.0 - 32.0 °F - closed cup

引火点(℃)

-8.89 - 0,00 °C - closed cup


適用法令

試験研究用途を考慮した関連法令を主に挙げております。化学物質以外については、一部の情報のみ提供しています。 製品を安全かつ合法的に使用することは、使用者の義務です。最新情報により修正される場合があります。WEBの反映には時間を要することがあるため、適宜SDSをご参照ください。

消防法

第4類:引火性液体
第一石油類
危険等級II
非水溶性液体


試験成績書(COA)

製品のロット番号・バッチ番号を入力して、試験成績書(COA) を検索できます。ロット番号・バッチ番号は、製品ラベルに「Lot」または「Batch」に続いて記載されています。

以前この製品を購入いただいたことがある場合

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文書ライブラリにアクセスする

Boudreau; M.; Boumerzoug; M.; Mascher; P.; Jessop; P. E.
Applied Physics Letters, 63, 3014-3014 (1993)
Hirose; F.; Kinoshita; Y.; Shibuya; S.; et al
Thin Solid Films, 519, 270-270 (2011)
B Ballantyne et al.
Toxicology and industrial health, 5(1), 45-54 (1989-01-01)
The acute handling hazards of tris(dimethylamino)silane [TDMAS] were investigated. The acute male rat peroral LD50 (with 95% confidence limits) was 0.71 (0.51-0.97) ml/kg, and the acute male rabbit percutaneous LD50 was 0.57 (0.35-0.92) ml/kg. The liquid was severely irritating to

資料

Spin-based electronic (spintronic) devices offer significant improvement to the limits of conventional charge-based memory and logic devices which suffer from high power usage, leakage current, performance saturation, and device complexity.

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The properties of many devices are limited by the intrinsic properties of the materials that compose them.

ライフサイエンス、有機合成、材料科学、クロマトグラフィー、分析など、あらゆる分野の研究に経験のあるメンバーがおります。.

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