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920924

Sigma-Aldrich

Monolayer hexagonal Boron Nitride (hBN) on Si/SiO2 wafer

diam. 200 mm (8 in.)

Sinonimo/i:

Boronitrene, Hexagonal boron nitride monolayer, Single-layer hexagonal boron nitride, White graphene

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About This Item

Formula empirica (notazione di Hill):
BN
Numero CAS:
10043-11-5
Peso molecolare:
24.82
Numero MDL:
MFCD00008279
Codice UNSPSC:
12352302
NACRES:
NA.23

Descrizione

Bandgap: 5.97 eV
Metal Impurities: 1.00e10 – 5.00e10 (at/cm2)
Monolayer h-BN
Orientation: <1-0-0>
Raman Peak: 1370 /cm-1
Substrate Type/Doping: P/B
hBN Coverage: 100% with sporadic adlayers

Livello qualitativo

100

Resistività

5-30 Ω-cm

Diametro

200 mm (8 in.)

Spessore

300 nm , Oxide
725 ± 25 μm , Wafer

Dimensione grani

>4 μm

Stringa SMILE

B#N

InChI

1S/BN/c1-2
PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N

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Categorie correlate

Applicazioni

Monolayer hexagonal boron nitride (h-BN), also known as “white graphene”, is a wide-bandgap 2D crystal (~6 eV that can be tuned to ~2 eV) with exceptional strength , large oxidation resistance at high temperatures , and optical functionalities . Among its potential applications are:
  • Two-dimensional electronics
  • Nanophotonic and other optoelectronic devices
  • Quantum communication and information science
  • Aerospace industry
  • MEMS and NEMS
  • Micro-/nano- actuators
  • nsulating/transparent coatings

Stoccaggio e stabilità

To ensure the maximum shelf life of your hBN sample, it is best stored under vacuum or in inert atmosphere (Argon or Nitrogen) conditions once the vacuum sealed package has been opened.

Codice della classe di stoccaggio

13 - Non Combustible Solids

Classe di pericolosità dell'acqua (WGK)

WGK 3

Punto d’infiammabilità (°F)

Not applicable

Punto d’infiammabilità (°C)

Not applicable

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Chemical and Bandgap Engineering in Monolayer Hexagonal Boron Nitride
Ba K, et al.
Scientific Reports, 7 (2017)
From 2-D to 0-D Boron Nitride Materials, The Next Challenge
Stagi L, et al.
Materials, 12(23) (2019)
Piezoelectricity in Monolayer Hexagonal Boron Nitride
Ares P, et al.
Advanced Materials, 32 (2020)

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