Passa al contenuto
Merck
Tutte le immagini(3)

Documenti fondamentali

725471

Sigma-Aldrich

Bis(methyl-η5−cyclopentadienyl)methoxymethylzirconium

packaged for use in deposition systems

Sinonimo/i:

ZRCMMM, ZrD-CO4

Autenticatiper visualizzare i prezzi riservati alla tua organizzazione & contrattuali


About This Item

Formula condensata:
Zr(CH3C5H4)2CH3OCH3
Peso molecolare:
295.53
Numero MDL:
Codice UNSPSC:
12352103
ID PubChem:
NACRES:
NA.23

Stato

liquid

Impiego in reazioni chimiche

core: zirconium

Colore

colorless

P. ebollizione

110 °C/0.5 mmHg (lit.)

Densità

1.27 g/mL±0.01 g/mL at 25 °C (lit.)

Stringa SMILE

C[C]1[C][C][C][C]1.C[C]2[C][C][C][C]2.C[Zr]OC

InChI

1S/2C6H7.CH3O.CH3.Zr/c2*1-6-4-2-3-5-6;1-2;;/h2*2-5H,1H3;1H3;1H3;/q;;-1;;+1
LFGIFPGCOXPKMG-UHFFFAOYSA-N

Descrizione generale

Atomic number of base material: 40 Zirconium

Applicazioni

Advanced precursor for atomic layer deposition of ZrO2 thin films. Hafnium and zirconium oxides are leading candidates to replace silicion dioxide as the gate oxide in a variety of semiconductor and energy applications. Excellent properties of HfO2 and ZrO2 films make them especially attractive for gate oxide replacement and as potential insulating dielectrics for capacitive elements in memory devices such as DRAM.

Caratteristiche e vantaggi

Compatible with a variety of oxidants in ALD growth processes across a wide temperature range exhibiting self limiting growth up to 400 °C. Precursor volatility and thermal stability properties enable easy materials transport from bubblers into conventional deposition tools.

Confezionamento

Packaged in stainless steel cylinders compatible with conventional deposition systems. Precursors may be used in liquid injection systems as dilute solutions and in combination with a variety of other sources to deposit mixed oxides.

Pittogrammi

Exclamation mark

Avvertenze

Warning

Indicazioni di pericolo

Consigli di prudenza

Classi di pericolo

Acute Tox. 4 Oral - Eye Irrit. 2 - Skin Irrit. 2

Codice della classe di stoccaggio

10 - Combustible liquids not in Storage Class 3

Classe di pericolosità dell'acqua (WGK)

WGK 3

Punto d’infiammabilità (°F)

226.4 °F

Punto d’infiammabilità (°C)

108 °C


Scegli una delle versioni più recenti:

Certificati d'analisi (COA)

Lot/Batch Number

Non trovi la versione di tuo interesse?

Se hai bisogno di una versione specifica, puoi cercare il certificato tramite il numero di lotto.

Possiedi già questo prodotto?

I documenti relativi ai prodotti acquistati recentemente sono disponibili nell’Archivio dei documenti.

Visita l’Archivio dei documenti

I clienti hanno visto anche

Slide 1 of 2

1 of 2

J. W. Elama
Applied Physics Letters, 91, 253123-253123 (2007)
High-k gate dielectrics: current status and material properties considerations
Wilk, G.D.; Wallace, R.M.; Anthony, J.M.
Journal of Applied Physics, 89, 5243-5243 (2001)
Gutsche, M.; Seidl, H.; Luetzen J.; Birner, A.;
International Electron Devices Meeting, 18-18 (2001)

Articoli

igma-Aldrich.com presents an article regarding the savannah ALD system - an excellent tool for atomic layer deposition.

Nanocomposite Coatings with Tunable Properties Prepared by Atomic Layer Deposition

High Purity Metalorganic Precursors for CPV Device Fabrication

Nanomaterials are considered a route to the innovations required for large-scale implementation of renewable energy technologies in society to make our life sustainable.

Vedi tutto

Global Trade Item Number

SKUGTIN
725471-10G4061833600436

Il team dei nostri ricercatori vanta grande esperienza in tutte le aree della ricerca quali Life Science, scienza dei materiali, sintesi chimica, cromatografia, discipline analitiche, ecc..

Contatta l'Assistenza Tecnica.