Passa al contenuto
Merck
Tutte le immagini(2)

Key Documents

View All Documentation

303518

Sigma-Aldrich

Ossido di tantalio V

99% trace metals basis

Sinonimo/i:

Ossido di tantalio

Autenticatiper visualizzare i prezzi riservati alla tua organizzazione & contrattuali
Tutte le immagini(2)

About This Item

Formula condensata:
Ta2O5
Numero CAS:
1314-61-0
Peso molecolare:
441.89
Numero CE:
215-238-2
Numero MDL:
MFCD00011254
Codice UNSPSC:
12352303
ID PubChem:
24858127
NACRES:
NA.23

Livello qualitativo

100

Saggio

99% trace metals basis

Forma fisica

powder

Impiego in reazioni chimiche

reagent type: catalyst
core: tantalum

Densità

8.2 g/mL at 25 °C (lit.)

applicazioni

battery manufacturing

Stringa SMILE

O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O

InChI

1S/5O.2Ta
PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N

Cerchi prodotti simili? Visita Guida al confronto tra prodotti

Descrizione generale

Il pentossido di tantalio, essendo un dielettrico, è usato dall′industria elettronica per la produzione di condensatori.

Applicazioni

L'ossido di tantalio viene mescolato con il silicio nella struttura del dielettrico di gate. Può essere utilizzato per sintetizzare setacci molecolari mesoporosi esagonali di ossido di tantalio.La deposizione mediante fascio ionico di film di ossido di tantalio è stata studiata per possibili applicazioni come rivestimento ottico.Può essere utilizzato nella produzione di vetri ottici per lenti e in circuiti elettronici.

Codice della classe di stoccaggio

11 - Combustible Solids

Classe di pericolosità dell'acqua (WGK)

nwg

Punto d’infiammabilità (°F)

Not applicable

Punto d’infiammabilità (°C)

Not applicable

Dispositivi di protezione individuale

Eyeshields, Gloves, type N95 (US)

Scegli una delle versioni più recenti:

Certificati d'analisi (COA)

Lot/Batch Number
MKCP0622
MKCN8315
MKCL4098
MKCK7401
MKCK3930

Non trovi la versione di tuo interesse?

Se hai bisogno di una versione specifica, puoi cercare il certificato tramite il numero di lotto.

Cerca un COA

Possiedi già questo prodotto?

I documenti relativi ai prodotti acquistati recentemente sono disponibili nell’Archivio dei documenti.

Visita l’Archivio dei documenti

I clienti hanno visto anche

Slide 1 of 5

1 of 5

Tantalum powder, −325 mesh, 99.9% trace metals basis

Sigma-Aldrich

262846

Tantalum

Niobium(IV) oxide 99.9% trace metals basis

Sigma-Aldrich

383163

Niobium(IV) oxide

Ossido di lantanio(III) ≥99.9%

Sigma-Aldrich

L4000

Ossido di lantanio(III)

Tantalum(V) chloride 99.99% trace metals basis

Sigma-Aldrich

400475

Tantalum(V) chloride

Zirconium(IV) oxide powder, 5 μm, 99% trace metals basis

Sigma-Aldrich

230693

Zirconium(IV) oxide

Synthesis and characterization of hexagonally packed mesoporous tantalum oxide molecular sieves.
Antonelli DM and Ying JY
Chemistry of Materials, 8(4), 874-881 (1996)
Intermixing at the tantalum oxide/silicon interface in gate dielectric structures.
Alers GB, et al.
Applied Physics Letters, 73(11), 1517-1519 (1998)
Effects of oxygen content on the optical properties of tantalum oxide films deposited by ion-beam sputtering.
H Demiryont et al.
Applied optics, 24(4), 490-490 (1985-02-15)

Articoli

Tutorial in Microelectronics and Nanoelectronics

As the electronic industry continues to move towards smaller and smaller devices, researchers must continually strive for technologies to deposit electronic materials with precision at ever-smaller scales. This trend has lead to a variety of techniques used in the microelectronics industry to layer materials with precision thicknesses, sometimes down to even the atomic level.

Il team dei nostri ricercatori vanta grande esperienza in tutte le aree della ricerca quali Life Science, scienza dei materiali, sintesi chimica, cromatografia, discipline analitiche, ecc..

Contatta l'Assistenza Tecnica.