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Sigma-Aldrich

Buffered oxide etchant (BOE) 10:1

Sinónimos:

BHF, Buffered HF

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About This Item

Código UNSPSC:
12161700
NACRES:
NA.23

Descripción general

Buffered oxide etchant (BOE) is a wet etchant used in microfabrication. Its primary use is in etching thin films of silicon dioxide (SiO2) or silicon nitride (Si3N4). It is a mixture of a buffering agent, such as ammonium fluoride (NH4F), and hydrofluoric acid (HF). Concentrated HF etches silicon dioxide too quickly for good process control and also peels photoresist used in lithographic patterning.

Aplicación

Buffered oxide etchant (BOE) 10:1 can be used in the etching of titanium carbide, which can be used in microelectromechanical systems (MEMS). It can also be used in the etching of spin-on-dopant (SOD) for the development of conductor-insulator-conductor tunneling diodes. It can also be used to enhance the surface of fused quartz devices.

Pictogramas

Skull and crossbonesCorrosion
GHS06,GHS05

Palabra de señalización

Danger

Frases de peligro

H301 + H331,H310,H314

Clasificaciones de peligro

Acute Tox. 2 Dermal - Acute Tox. 3 Inhalation - Acute Tox. 3 Oral - Eye Dam. 1 - Skin Corr. 1B

Código de clase de almacenamiento

6.1B - Non-combustible acute toxic Cat. 1 and 2 / very toxic hazardous materials

Clase de riesgo para el agua (WGK)

WGK 2

Punto de inflamabilidad (°F)

Not applicable

Punto de inflamabilidad (°C)

Not applicable

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Certificados de análisis (COA)

Lot/Batch Number
MKCQ4119
MKCP7228
MKCN7729
MKCM3153
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Integration of wear-resistant titanium carbide coatings into MEMS fabrication processes
Radhakrishnan G, et al.
Tribology Letters, 8(2-3), 133-137 (2000)
New process development for planar-type CIC tunneling diodes
Choi K, et al.
IEEE Electron Device Letters, 31(8), 809-811 (2010)

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